Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > IPB65R110CFDATMA1
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
2559173IPB65R110CFDATMA1 Image.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB65R110CFDATMA1

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$7.12
10+
$6.358
100+
$5.213
500+
$4.222
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    IPB65R110CFDATMA1
  • Výrobce / značka
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 650V 31.2A TO263
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    IPB65R110CFDATMA1.pdf
  • ECAD model
  • Vgs (th) (max) 'Id
    4.5V @ 1.3mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    D²PAK (TO-263AB)
  • Série
    CoolMOS™
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    110 mOhm @ 12.7A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    277.8W (Tc)
  • Obal
    Cut Tape (CT)
  • Paket / krabice
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Ostatní jména
    IPB65R110CFDATMA1CT
    IPB65R110CFDCT
    IPB65R110CFDCT-ND
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    3240pF @ 100V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    118nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    650V
  • Detailní popis
    N-Channel 650V 31.2A (Tc) 277.8W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    31.2A (Tc)

ABLIC and Infineon's innovative IC technology will driv...

2025/01/20

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „IPB65R110CFDATMA1“.
IPB65R095C7ATMA1

IPB65R095C7ATMA1

Popis: MOSFET N-CH TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB65R150CFDAATMA1

IPB65R150CFDAATMA1

Popis: MOSFET N-CH TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB65R045C7ATMA1

IPB65R045C7ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 650V 46A TO-263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB65R065C7ATMA1

IPB65R065C7ATMA1

Popis: MOSFET N-CH TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB65R125C7ATMA1

IPB65R125C7ATMA1

Popis: MOSFET N-CH TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB65R065C7ATMA2

IPB65R065C7ATMA2

Popis: MOSFET N-CH TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB65R110CFDAATMA1

IPB65R110CFDAATMA1

Popis: MOSFET N-CH TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB65R095C7ATMA2

IPB65R095C7ATMA2

Popis: MOSFET N-CH TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB65R190CFDATMA1

IPB65R190CFDATMA1

Popis: MOSFET N-CH 650V 17.5A TO263

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB65R190C7ATMA2

IPB65R190C7ATMA2

Popis: MOSFET N-CH TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB65R190C7ATMA1

IPB65R190C7ATMA1

Popis: MOSFET N-CH TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB60R950C6ATMA1

IPB60R950C6ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 600V 4.4A TO263

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB65R190CFDAATMA1

IPB65R190CFDAATMA1

Popis: MOSFET N-CH TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB65R225C7ATMA1

IPB65R225C7ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 650V 11A TO-263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB65R190C6ATMA1

IPB65R190C6ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 650V 20.2A TO263

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB65R099C6ATMA1

IPB65R099C6ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 650V 38A TO263

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB64N25S320ATMA1

IPB64N25S320ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB65R150CFDATMA1

IPB65R150CFDATMA1

Popis: MOSFET N-CH 650V 22.4A TO-263

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB65R045C7ATMA2

IPB65R045C7ATMA2

Popis: MOSFET N-CH 650V 46A TO-263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB65R125C7ATMA2

IPB65R125C7ATMA2

Popis: MOSFET N-CH TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násZprávyMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.