Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > IPB60R190C6ATMA1
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
6442807IPB60R190C6ATMA1 Image.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB60R190C6ATMA1

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1000+
$1.70
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    IPB60R190C6ATMA1
  • Výrobce / značka
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 600V 20.2A TO263
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    IPB60R190C6ATMA1.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    3.5V @ 630µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    D²PAK (TO-263AB)
  • Série
    CoolMOS™
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    190 mOhm @ 9.5A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    151W (Tc)
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Ostatní jména
    IPB60R190C6
    IPB60R190C6ATMA1TR
    IPB60R190C6INTR
    IPB60R190C6INTR-ND
    SP000641916
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    1400pF @ 100V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    63nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    600V
  • Detailní popis
    N-Channel 600V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    20.2A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „IPB60R190C6ATMA1“.
IPB60R180C7ATMA1

IPB60R180C7ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 650V 13A TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB60R199CPATMA1

IPB60R199CPATMA1

Popis: MOSFET N-CH 650V 16A TO-263

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB60R160P6ATMA1

IPB60R160P6ATMA1

Popis: MOSFET N-CH TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB60R199CPAATMA1

IPB60R199CPAATMA1

Popis: MOSFET N-CH TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB60R180P7ATMA1

IPB60R180P7ATMA1

Popis: MOSFET TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB60R299CPATMA1

IPB60R299CPATMA1

Popis: MOSFET N-CH 600V 11A TO-263

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB60R280P7ATMA1

IPB60R280P7ATMA1

Popis: MOSFET TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB60R190P6ATMA1

IPB60R190P6ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 600V TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB60R125C6ATMA1

IPB60R125C6ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 600V 30A TO263

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB60R230P6ATMA1

IPB60R230P6ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 600V 16.8A 3TO263

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB60R165CPATMA1

IPB60R165CPATMA1

Popis: MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB60R280P6ATMA1

IPB60R280P6ATMA1

Popis: MOSFET N-CH TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB60R120P7ATMA1

IPB60R120P7ATMA1

Popis: MOSFET N-CH TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB60R250CPATMA1

IPB60R250CPATMA1

Popis: MOSFET N-CH 650V 12A TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB60R125CPATMA1

IPB60R125CPATMA1

Popis: MOSFET N-CH 600V 25A TO263

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB60R120C7ATMA1

IPB60R120C7ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 650V 19A TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB60R299CPAATMA1

IPB60R299CPAATMA1

Popis: MOSFET N-CH TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB60R280C6ATMA1

IPB60R280C6ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO263

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB60R099P7ATMA1

IPB60R099P7ATMA1

Popis: MOSFET N-CH TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB60R160C6ATMA1

IPB60R160C6ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 600V 23.8A TO263

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.