Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > IPB60R080P7ATMA1
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
42738IPB60R080P7ATMA1 Image.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB60R080P7ATMA1

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$6.39
10+
$5.708
100+
$4.68
500+
$3.79
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    IPB60R080P7ATMA1
  • Výrobce / značka
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH TO263-3
  • Stav volného vedení / RoHS
    Obsahuje olovo a RoHS
  • Datasheety
    IPB60R080P7ATMA1.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    4V @ 590µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    D²PAK (TO-263AB)
  • Série
    CoolMOS™ P7
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    80 mOhm @ 11.8A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    129W (Tc)
  • Obal
    Cut Tape (CT)
  • Paket / krabice
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Ostatní jména
    IPB60R080P7ATMA1CT
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    2180pF @ 400V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    51nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    650V
  • Detailní popis
    N-Channel 650V 37A (Tc) 129W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    37A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „IPB60R080P7ATMA1“.
IPB50R250CPATMA1

IPB50R250CPATMA1

Popis: MOSFET N-CH 550V 13A TO-263

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB50R299CPATMA1

IPB50R299CPATMA1

Popis: MOSFET N-CH 550V 12A TO-263

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB60R125C6ATMA1

IPB60R125C6ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 600V 30A TO263

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB60R060C7ATMA1

IPB60R060C7ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 650V 35A TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB60R099CPAATMA1

IPB60R099CPAATMA1

Popis: MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB60R099CPATMA1

IPB60R099CPATMA1

Popis: MOSFET N-CH 600V 31A D2PAK

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB60R099C6ATMA1

IPB60R099C6ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO263

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB60R060P7ATMA1

IPB60R060P7ATMA1

Popis: MOSFET N-CH TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB60R099P7ATMA1

IPB60R099P7ATMA1

Popis: MOSFET N-CH TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB60R040C7ATMA1

IPB60R040C7ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 650V 50A TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB60R120P7ATMA1

IPB60R120P7ATMA1

Popis: MOSFET N-CH TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB600N25N3GATMA1

IPB600N25N3GATMA1

Popis: MOSFET N-CH 250V 25A TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB50R199CPATMA1

IPB50R199CPATMA1

Popis: MOSFET N-CH 550V 17A TO-263

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB50R140CPATMA1

IPB50R140CPATMA1

Popis: MOSFET N-CH 550V 23A TO-263

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB60R125CPATMA1

IPB60R125CPATMA1

Popis: MOSFET N-CH 600V 25A TO263

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB60R160C6ATMA1

IPB60R160C6ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 600V 23.8A TO263

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB60R099C7ATMA1

IPB60R099C7ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 650V 22A TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB60R120C7ATMA1

IPB60R120C7ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 650V 19A TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB50N12S3L15ATMA1

IPB50N12S3L15ATMA1

Popis: MOSFET N-CHANNEL_100+

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB530N15N3GATMA1

IPB530N15N3GATMA1

Popis: MOSFET N-CH 150V 21A TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.