Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > IPB22N03S4L15ATMA1
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
949967IPB22N03S4L15ATMA1 Image.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB22N03S4L15ATMA1

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1000+
$0.995
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    IPB22N03S4L15ATMA1
  • Výrobce / značka
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 30V 22A TO263-3
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    IPB22N03S4L15ATMA1.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    2.2V @ 10µA
  • Vgs (Max)
    ±16V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    PG-TO263-3-2
  • Série
    OptiMOS™
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    14.6 mOhm @ 22A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    31W (Tc)
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Ostatní jména
    IPB22N03S4L-15
    IPB22N03S4L-15-ND
    IPB22N03S4L-15INTR
    IPB22N03S4L-15INTR-ND
    IPB22N03S4L15ATMA1TR
    SP000275308
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    980pF @ 25V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    14nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    4.5V, 10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    30V
  • Detailní popis
    N-Channel 30V 22A (Tc) 31W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    22A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „IPB22N03S4L15ATMA1“.
IPB240N04S41R0ATMA1

IPB240N04S41R0ATMA1

Popis: MOSFET N-CH TO263-7

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB180N08S402ATMA1

IPB180N08S402ATMA1

Popis: MOSFET N-CH TO263-7

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB240N03S4LR9ATMA1

IPB240N03S4LR9ATMA1

Popis: MOSFET N-CH TO263-7

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB200N15N3GATMA1

IPB200N15N3GATMA1

Popis: MOSFET N-CH 150V 50A TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB180N10S402ATMA1

IPB180N10S402ATMA1

Popis: MOSFET N-CH TO263-7

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB180N06S4H1ATMA1

IPB180N06S4H1ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB25N06S3L-22

IPB25N06S3L-22

Popis: MOSFET N-CH 55V 25A D2PAK

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB180P04P4L02ATMA1

IPB180P04P4L02ATMA1

Popis: MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB26CNE8N G

IPB26CNE8N G

Popis: MOSFET N-CH 85V 35A TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB180N10S403ATMA1

IPB180N10S403ATMA1

Popis: MOSFET N-CH TO263-7

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB180P04P403ATMA1

IPB180P04P403ATMA1

Popis: MOSFET P-CH TO263-7

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB230N06L3GATMA1

IPB230N06L3GATMA1

Popis: MOSFET N-CH 60V 30A TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB26CN10NGATMA1

IPB26CN10NGATMA1

Popis: MOSFET N-CH 100V 35A TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB180N06S4H1ATMA2

IPB180N06S4H1ATMA2

Popis: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB240N04S4R9ATMA1

IPB240N04S4R9ATMA1

Popis: MOSFET N-CH TO263-7

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB260N06N3GATMA1

IPB260N06N3GATMA1

Popis: MOSFET N-CH 60V 27A TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB200N25N3GATMA1

IPB200N25N3GATMA1

Popis: MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB240N03S4LR8ATMA1

IPB240N03S4LR8ATMA1

Popis: MOSFET N-CH TO263-7

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB25N06S3-25

IPB25N06S3-25

Popis: MOSFET N-CH 55V 25A D2PAK

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB180N04S4LH0ATMA1

IPB180N04S4LH0ATMA1

Popis: MOSFET N-CH TO263-7

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.