Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > IPB160N04S3H2ATMA1
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
3509093IPB160N04S3H2ATMA1 Image.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB160N04S3H2ATMA1

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1000+
$1.404
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    IPB160N04S3H2ATMA1
  • Výrobce / značka
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    IPB160N04S3H2ATMA1.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    4V @ 150µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    PG-TO263-7-3
  • Série
    OptiMOS™
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    2.1 mOhm @ 80A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    214W (Tc)
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
  • Ostatní jména
    IPB160N04S3-H2
    IPB160N04S3-H2-ND
    IPB160N04S3-H2TR
    IPB160N04S3-H2TR-ND
    IPB160N04S3H2
    IPB160N04S3H2ATMA1TR
    SP000254818
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    9600pF @ 25V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    145nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    40V
  • Detailní popis
    N-Channel 40V 160A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    160A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „IPB160N04S3H2ATMA1“.
IPB180N03S4LH0ATMA1

IPB180N03S4LH0ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB14N03LA

IPB14N03LA

Popis: MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB160N04S4H1ATMA1

IPB160N04S4H1ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB14N03LAT

IPB14N03LAT

Popis: MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB160N04S4LH1ATMA1

IPB160N04S4LH1ATMA1

Popis: MOSFET N-CH TO263-7

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB14N03LA G

IPB14N03LA G

Popis: MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB156N22NFDATMA1

IPB156N22NFDATMA1

Popis: MOSFET N-CH 220V TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB180N04S302ATMA1

IPB180N04S302ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB160N04S203ATMA1

IPB160N04S203ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB180N03S4L01ATMA1

IPB180N03S4L01ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB160N04S2L03ATMA2

IPB160N04S2L03ATMA2

Popis: MOSFET N-CH TO262-7

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB160N04S2L03ATMA1

IPB160N04S2L03ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB147N03LGATMA1

IPB147N03LGATMA1

Popis: MOSFET N-CH 30V 20A TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB180N04S401ATMA1

IPB180N04S401ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB16CN10N G

IPB16CN10N G

Popis: MOSFET N-CH 100V 53A TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB160N08S403ATMA1

IPB160N08S403ATMA1

Popis: MOSFET N-CH TO263-7

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB17N25S3100ATMA1

IPB17N25S3100ATMA1

Popis: MOSFET N-CH TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB160N04S203ATMA4

IPB160N04S203ATMA4

Popis: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB144N12N3GATMA1

IPB144N12N3GATMA1

Popis: MOSFET N-CH 120V 56A TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB180N04S400ATMA1

IPB180N04S400ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.