Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > IPB107N20N3GATMA1
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
5321947IPB107N20N3GATMA1 Image.Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)

IPB107N20N3GATMA1

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1000+
$4.015
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    IPB107N20N3GATMA1
  • Výrobce / značka
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    IPB107N20N3GATMA1.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    4V @ 270µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    D²PAK (TO-263AB)
  • Série
    OptiMOS™
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    10.7 mOhm @ 88A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    300W (Tc)
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Ostatní jména
    IPB107N20N3 G
    IPB107N20N3 G-ND
    IPB107N20N3 GTR
    IPB107N20N3 GTR-ND
    IPB107N20N3G
    IPB107N20N3GATMA1TR
    SP000676406
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    7100pF @ 100V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    87nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    200V
  • Detailní popis
    N-Channel 200V 88A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    88A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „IPB107N20N3GATMA1“.
IPB100N06S2L05ATMA1

IPB100N06S2L05ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB110N06L G

IPB110N06L G

Popis: MOSFET N-CH 60V 78A TO-263

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB100N08S2L07ATMA1

IPB100N08S2L07ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB100N08S207ATMA1

IPB100N08S207ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB117N20NFDATMA1

IPB117N20NFDATMA1

Popis: MOSFET N-CH 200V 84A D2PAK

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB10N03LB

IPB10N03LB

Popis: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB11N03LA G

IPB11N03LA G

Popis: MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB114N03L G

IPB114N03L G

Popis: MOSFET N-CH 30V 30A TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB100N12S305ATMA1

IPB100N12S305ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 120V 100A TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB100N06S3L-03

IPB100N06S3L-03

Popis: MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3-2

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB100N10S305ATMA1

IPB100N10S305ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB108N15N3GATMA1

IPB108N15N3GATMA1

Popis: MOSFET N-CH 150V 83A TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB11N03LA

IPB11N03LA

Popis: MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB107N20NAATMA1

IPB107N20NAATMA1

Popis: MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB100N06S2L05ATMA2

IPB100N06S2L05ATMA2

Popis: MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB100N06S3-04

IPB100N06S3-04

Popis: MOSFET N-CH 55V 100A TO-263

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB10N03LB G

IPB10N03LB G

Popis: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB100N06S3-03

IPB100N06S3-03

Popis: MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB100N06S3L-04

IPB100N06S3L-04

Popis: MOSFET N-CH 55V 100A TO-263

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB110N20N3LFATMA1

IPB110N20N3LFATMA1

Popis: MOSFET N-CH 200 D2PAK-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.