Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > IPB096N03LGATMA1
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
4344567IPB096N03LGATMA1 Image.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB096N03LGATMA1

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    IPB096N03LGATMA1
  • Výrobce / značka
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 30V 35A TO-263-3
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    IPB096N03LGATMA1.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    2.2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    D²PAK (TO-263AB)
  • Série
    OptiMOS™
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    9.6 mOhm @ 30A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    42W (Tc)
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Ostatní jména
    IPB096N03L G
    IPB096N03LG
    IPB096N03LGATMA1TR
    IPB096N03LGINTR
    IPB096N03LGINTR-ND
    IPB096N03LGXT
    SP000254711
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    1600pF @ 15V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    15nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    4.5V, 10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    30V
  • Detailní popis
    N-Channel 30V 35A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    35A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „IPB096N03LGATMA1“.
IPB090N06N3GATMA1

IPB090N06N3GATMA1

Popis: MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB081N06L3GATMA1

IPB081N06L3GATMA1

Popis: MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB100N04S4H2ATMA1

IPB100N04S4H2ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3-2

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB08CN10N G

IPB08CN10N G

Popis: MOSFET N-CH 100V 95A TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB100N04S2L03ATMA1

IPB100N04S2L03ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB100N04S2L03ATMA2

IPB100N04S2L03ATMA2

Popis: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB093N04LGATMA1

IPB093N04LGATMA1

Popis: MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB080N06N G

IPB080N06N G

Popis: MOSFET N-CH 60V 80A TO-263

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB100N04S204ATMA4

IPB100N04S204ATMA4

Popis: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB09N03LAT

IPB09N03LAT

Popis: MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB08CNE8N G

IPB08CNE8N G

Popis: MOSFET N-CH 85V 95A TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB085N06L G

IPB085N06L G

Popis: MOSFET N-CH 60V 80A TO-263

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB083N15N5LFATMA1

IPB083N15N5LFATMA1

Popis: MOSFET N-CH 150V 105A TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB100N04S204ATMA1

IPB100N04S204ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB080N03LGATMA1

IPB080N03LGATMA1

Popis: MOSFET N-CH 30V 50A TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB09N03LA G

IPB09N03LA G

Popis: MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB09N03LA

IPB09N03LA

Popis: MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB097N08N3 G

IPB097N08N3 G

Popis: MOSFET N-CH 80V 70A TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB083N10N3GATMA1

IPB083N10N3GATMA1

Popis: MOSFET N-CH 100V 80A TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB100N04S303ATMA1

IPB100N04S303ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.