Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > IPB039N10N3GATMA1
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
207237IPB039N10N3GATMA1 Image.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB039N10N3GATMA1

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$3.30
10+
$2.985
100+
$2.399
500+
$1.866
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    IPB039N10N3GATMA1
  • Výrobce / značka
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    IPB039N10N3GATMA1.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    3.5V @ 160µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    PG-TO263-7
  • Série
    OptiMOS™
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    3.9 mOhm @ 100A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    214W (Tc)
  • Obal
    Original-Reel®
  • Paket / krabice
    TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
  • Ostatní jména
    IPB039N10N3 GDKR
    IPB039N10N3 GDKR-ND
    IPB039N10N3GATMA1DKR
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    8410pF @ 50V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    117nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    6V, 10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    100V
  • Detailní popis
    N-Channel 100V 160A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    160A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „IPB039N10N3GATMA1“.
IPB044N15N5ATMA1

IPB044N15N5ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 150V 174A TO263-7

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB035N08N3 G

IPB035N08N3 G

Popis: MOSFET N-CH 80V 100A TO263-3

Výrobci: Infineon Technologies
Na skladě
RFQ
IPB03N03LA

IPB03N03LA

Popis: MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB03N03LB G

IPB03N03LB G

Popis: MOSFET N-CH 30V 80A TO-263

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB03N03LA G

IPB03N03LA G

Popis: MOSFET N-CH 25V 80A TO-263

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB036N12N3GATMA1

IPB036N12N3GATMA1

Popis: MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB033N10N5LFATMA1

IPB033N10N5LFATMA1

Popis: MOSFET N-CH 100V D2PAK-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB039N04LGATMA1

IPB039N04LGATMA1

Popis: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB039N10N3GE8187ATMA1

IPB039N10N3GE8187ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB042N10N3GATMA1

IPB042N10N3GATMA1

Popis: MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB038N12N3GATMA1

IPB038N12N3GATMA1

Popis: MOSFET N-CH 120V 120A TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB03N03LB

IPB03N03LB

Popis: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB034N06N3GATMA1

IPB034N06N3GATMA1

Popis: MOSFET N-CH 60V 100A TO263-7

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB034N06L3GATMA1

IPB034N06L3GATMA1

Popis: MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB042N03LGATMA1

IPB042N03LGATMA1

Popis: MOSFET N-CH 30V 70A TO-263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB042N10N3GE8187ATMA1

IPB042N10N3GE8187ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB034N03LGATMA1

IPB034N03LGATMA1

Popis: MOSFET N-CH 30V 80A TO-263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB032N10N5ATMA1

IPB032N10N5ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 100V 166A TO263-7

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB041N04NGATMA1

IPB041N04NGATMA1

Popis: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB037N06N3GATMA1

IPB037N06N3GATMA1

Popis: MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.