Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > IPB025N08N3GATMA1
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
5739912IPB025N08N3GATMA1 Image.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB025N08N3GATMA1

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$6.44
10+
$5.748
100+
$4.714
500+
$3.817
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    IPB025N08N3GATMA1
  • Výrobce / značka
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    IPB025N08N3GATMA1.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    3.5V @ 270µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    D²PAK (TO-263AB)
  • Série
    OptiMOS™
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    2.5 mOhm @ 100A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    300W (Tc)
  • Obal
    Cut Tape (CT)
  • Paket / krabice
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Ostatní jména
    IPB025N08N3 GCT
    IPB025N08N3 GCT-ND
    IPB025N08N3GATMA1CT
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    14200pF @ 40V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    206nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    6V, 10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    80V
  • Detailní popis
    N-Channel 80V 120A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    120A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „IPB025N08N3GATMA1“.
IPB022N04LGATMA1

IPB022N04LGATMA1

Popis: MOSFET N-CH 40V 90A TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB023N06N3GATMA1

IPB023N06N3GATMA1

Popis: MOSFET N-CH 60V 140A TO263-7

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB020N08N5ATMA1

IPB020N08N5ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 80V 140A TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB025N10N3GATMA1

IPB025N10N3GATMA1

Popis: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB030N08N3GATMA1

IPB030N08N3GATMA1

Popis: MOSFET N-CH 80V 160A TO263-7

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB027N10N3GATMA1

IPB027N10N3GATMA1

Popis: MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB020N10N5LFATMA1

IPB020N10N5LFATMA1

Popis: MOSFET N-CH 100V D2PAK-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB029N06N3GATMA1

IPB029N06N3GATMA1

Popis: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB024N08N5ATMA1

IPB024N08N5ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 80V TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB027N10N5ATMA1

IPB027N10N5ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB026N06NATMA1

IPB026N06NATMA1

Popis: MOSFET N-CH 60V 25A TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB025N10N3GE8187ATMA1

IPB025N10N3GE8187ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB029N06N3GE8187ATMA1

IPB029N06N3GE8187ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB020NE7N3GATMA1

IPB020NE7N3GATMA1

Popis: MOSFET N-CH 75V 120A TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB031NE7N3GATMA1

IPB031NE7N3GATMA1

Popis: MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB021N06N3GATMA1

IPB021N06N3GATMA1

Popis: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB024N10N5ATMA1

IPB024N10N5ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB020N10N5ATMA1

IPB020N10N5ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB023N04NGATMA1

IPB023N04NGATMA1

Popis: MOSFET N-CH 40V 90A TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPB031N08N5ATMA1

IPB031N08N5ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 80V TO263-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.