Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > IAUT260N10S5N019ATMA1
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
966458IAUT260N10S5N019ATMA1 Image.International Rectifier (Infineon Technologies)

IAUT260N10S5N019ATMA1

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
2000+
$2.473
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    IAUT260N10S5N019ATMA1
  • Výrobce / značka
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET_(75V,120V(
  • Stav volného vedení / RoHS
    RoHS kompatibilní
  • Datasheety
    IAUT260N10S5N019ATMA1.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    3.8V @ 210µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    PG-HSOF-8-1
  • Série
    OptiMOS™-5
  • Stav RoHS
    RoHS Compliant
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    1.9 mOhm @ 100A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    300W (Tc)
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    8-PowerSFN
  • Ostatní jména
    IAUT260N10S5N019
    IAUT260N10S5N019ATMA1-ND
    IAUT260N10S5N019ATMA1TR
    IAUT260N10S5N019TR
    IAUT260N10S5N019TR-ND
    SP001676336
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    11830pF @ 50V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    166nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    6V, 10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    100V
  • Detailní popis
    N-Channel 100V 260A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    260A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „IAUT260N10S5N019ATMA1“.
BUK7616-55A,118

BUK7616-55A,118

Popis: MOSFET N-CH 55V 65.7A D2PAK

Výrobci: NXP Semiconductors / Freescale
Na skladě
RFQ
SISA10DN-T1-GE3

SISA10DN-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 30V 30A 1212-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
FDZ191P

FDZ191P

Popis: MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FDH50N50

FDH50N50

Popis: MOSFET N-CH 500V 48A TO-247

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
STE30NK90Z

STE30NK90Z

Popis: MOSFET N-CH 900V 28A ISOTOP

Výrobci: STMicroelectronics
Na skladě
RFQ
AO4202_120

AO4202_120

Popis: MOSFET N-CH 8SOIC

Výrobci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na skladě
RFQ
IAUT165N08S5N029ATMA2

IAUT165N08S5N029ATMA2

Popis: 80V 165A 2.9MOHM TOLL

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IAUT300N08S5N012ATMA2

IAUT300N08S5N012ATMA2

Popis: MOSFET N-CH 75V 120V 8HSOF

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
FDP032N08-F102

FDP032N08-F102

Popis: MOSFET N-CHANNEL 75V 120A TO220

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
TSM60NB1R4CP ROG

TSM60NB1R4CP ROG

Popis: MOSFET N-CHANNEL 600V 3A TO252

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
RFQ
FDP26N40

FDP26N40

Popis: MOSFET N-CH 400V 26A TO-220

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
RF4E080GNTR

RF4E080GNTR

Popis: MOSFET N-CH 30V 8A 8-HUML

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
IAUT150N10S5N035ATMA1

IAUT150N10S5N035ATMA1

Popis: 100V 150A 3.5MOHM TOLL

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IPC045N10L3X1SA1

IPC045N10L3X1SA1

Popis: MOSFET N-CH 100V 1A SAWN ON FOIL

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IRLB4132PBF

IRLB4132PBF

Popis: MOSFET N-CH 30V 78A TO220

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IAUT240N08S5N019ATMA1

IAUT240N08S5N019ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 75V 8HSOF

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
HUF75329P3

HUF75329P3

Popis: MOSFET N-CH 55V 49A TO-220AB

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
IPC100N04S51R9ATMA1

IPC100N04S51R9ATMA1

Popis: N-CHANNEL_30/40V

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IAUT300N10S5N015ATMA1

IAUT300N10S5N015ATMA1

Popis: MOSFET_(75V,120V(

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
STP8NS25

STP8NS25

Popis: MOSFET N-CH 250V 8A TO-220

Výrobci: STMicroelectronics
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.