Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > BSZ12DN20NS3GATMA1
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
3738219BSZ12DN20NS3GATMA1 Image.International Rectifier (Infineon Technologies)

BSZ12DN20NS3GATMA1

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$1.48
10+
$1.311
100+
$1.036
500+
$0.803
1000+
$0.634
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    BSZ12DN20NS3GATMA1
  • Výrobce / značka
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    BSZ12DN20NS3GATMA1.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    4V @ 25µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    PG-TSDSON-8
  • Série
    OptiMOS™
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    125 mOhm @ 5.7A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    50W (Tc)
  • Obal
    Cut Tape (CT)
  • Paket / krabice
    8-PowerTDFN
  • Ostatní jména
    BSZ12DN20NS3GATMA1CT
    BSZ12DN20NS3GCT
    BSZ12DN20NS3GCT-ND
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    680pF @ 100V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    8.7nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    200V
  • Detailní popis
    N-Channel 200V 11.3A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    11.3A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „BSZ12DN20NS3GATMA1“.
BSZ146N10LS5ATMA1

BSZ146N10LS5ATMA1

Popis: MV POWER MOS

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BSZ105N04NSGATMA1

BSZ105N04NSGATMA1

Popis: MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BSZ150N10LS3GATMA1

BSZ150N10LS3GATMA1

Popis: MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BSZ165N04NSGATMA1

BSZ165N04NSGATMA1

Popis: MOSFET N-CH 40V 31A TSDSON-8

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BSZ100N03MSGATMA1

BSZ100N03MSGATMA1

Popis: MOSFET N-CH 30V 40A TDSON-8

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BSZ160N10NS3GATMA1

BSZ160N10NS3GATMA1

Popis: MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON-8

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BSZ110N08NS5ATMA1

BSZ110N08NS5ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BSZ120P03NS3EGATMA1

BSZ120P03NS3EGATMA1

Popis: MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BSZ100N06NSATMA1

BSZ100N06NSATMA1

Popis: MOSFET N-CH 60V 40A 8TSDSON

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BSZ100N03LSGATMA1

BSZ100N03LSGATMA1

Popis: MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BSZ120P03NS3GATMA1

BSZ120P03NS3GATMA1

Popis: MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BSZ16DN25NS3GATMA1

BSZ16DN25NS3GATMA1

Popis: MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BSZ123N08NS3GATMA1

BSZ123N08NS3GATMA1

Popis: MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON-8

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BSZ130N03LSGATMA1

BSZ130N03LSGATMA1

Popis: MOSFET N-CH 30V 35A TSDSON-8

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BSZ15DC02KDHXTMA1

BSZ15DC02KDHXTMA1

Popis: MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BSZ100N06LS3GATMA1

BSZ100N06LS3GATMA1

Popis: MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BSZ130N03MSGATMA1

BSZ130N03MSGATMA1

Popis: MOSFET N-CH 30V 35A TSDSON-8

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BSZ180P03NS3GATMA1

BSZ180P03NS3GATMA1

Popis: MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BSZ180P03NS3EGATMA1

BSZ180P03NS3EGATMA1

Popis: MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BSZ110N06NS3GATMA1

BSZ110N06NS3GATMA1

Popis: MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.