Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > BSZ086P03NS3EGATMA1
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
872322BSZ086P03NS3EGATMA1 Image.International Rectifier (Infineon Technologies)

BSZ086P03NS3EGATMA1

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$1.07
10+
$0.933
100+
$0.72
500+
$0.533
1000+
$0.426
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    BSZ086P03NS3EGATMA1
  • Výrobce / značka
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    BSZ086P03NS3EGATMA1.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    3.1V @ 105µA
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    PG-TSDSON-8
  • Série
    OptiMOS™
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    8.6 mOhm @ 20A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    2.1W (Ta), 69W (Tc)
  • Obal
    Original-Reel®
  • Paket / krabice
    8-PowerTDFN
  • Ostatní jména
    BSZ086P03NS3E GDKR
    BSZ086P03NS3E GDKR-ND
    BSZ086P03NS3EGATMA1DKR
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    4785pF @ 15V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    57.5nC @ 10V
  • Typ FET
    P-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    6V, 10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    30V
  • Detailní popis
    P-Channel 30V 13.5A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    13.5A (Ta), 40A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „BSZ086P03NS3EGATMA1“.
BSZ0703LSATMA1

BSZ0703LSATMA1

Popis: MOSFET N-CH 8TDSON

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BSZ088N03MSGATMA1

BSZ088N03MSGATMA1

Popis: MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BSZ0901NSATMA1

BSZ0901NSATMA1

Popis: MOSFET N-CH 30V S308

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BSZ065N06LS5ATMA1

BSZ065N06LS5ATMA1

Popis: MV POWER MOS

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BSZ070N08LS5ATMA1

BSZ070N08LS5ATMA1

Popis: MV POWER MOS

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BSZ0904NSIATMA1

BSZ0904NSIATMA1

Popis: MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BSZ0902NSIATMA1

BSZ0902NSIATMA1

Popis: MOSFET N-CH 30V 21A TSDSON-8

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BSZ068N06NSATMA1

BSZ068N06NSATMA1

Popis: MOSFET N-CH 60V 40A 8TSDSON

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BSZ0909NSATMA1

BSZ0909NSATMA1

Popis: MOSFET N-CH 34V 9A 8TSDSON

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BSZ088N03LSGATMA1

BSZ088N03LSGATMA1

Popis: MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BSZ075N08NS5ATMA1

BSZ075N08NS5ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BSZ086P03NS3GATMA1

BSZ086P03NS3GATMA1

Popis: MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BSZ084N08NS5ATMA1

BSZ084N08NS5ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BSZ0909NDXTMA1

BSZ0909NDXTMA1

Popis: MOSFET 2 N-CH 30V 20A WISON-8

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BSZ065N03LSATMA1

BSZ065N03LSATMA1

Popis: MOSFET N-CH 30V 12A TSDSON-8

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BSZ0902NSATMA1

BSZ0902NSATMA1

Popis: MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BSZ076N06NS3GATMA1

BSZ076N06NS3GATMA1

Popis: MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BSZ067N06LS3GATMA1

BSZ067N06LS3GATMA1

Popis: MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BSZ060NE2LSATMA1

BSZ060NE2LSATMA1

Popis: MOSFET N-CH 25V 12A TSDSON-8

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BSZ0901NSIATMA1

BSZ0901NSIATMA1

Popis: MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.