Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > BSC042NE7NS3GATMA1
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
3275702BSC042NE7NS3GATMA1 Image.International Rectifier (Infineon Technologies)

BSC042NE7NS3GATMA1

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$3.01
10+
$2.714
100+
$2.181
500+
$1.696
1000+
$1.406
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    BSC042NE7NS3GATMA1
  • Výrobce / značka
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 75V 100A TDSON-8
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    BSC042NE7NS3GATMA1.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    3.8V @ 91µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    PG-TDSON-8
  • Série
    OptiMOS™
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    4.2 mOhm @ 50A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    2.5W (Ta), 125W (Tc)
  • Obal
    Original-Reel®
  • Paket / krabice
    8-PowerTDFN
  • Ostatní jména
    BSC042NE7NS3 GDKR
    BSC042NE7NS3 GDKR-ND
    BSC042NE7NS3GATMA1DKR
    BSC042NE7NS3GATMA1DKR-NDTR-ND
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    4800pF @ 37.5V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    69nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    75V
  • Detailní popis
    N-Channel 75V 19A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    19A (Ta), 100A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „BSC042NE7NS3GATMA1“.
BSC048N025S G

BSC048N025S G

Popis: MOSFET N-CH 25V 89A TDSON-8

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BSC042N03MSGATMA1

BSC042N03MSGATMA1

Popis: MOSFET N-CH 30V 93A TDSON-8

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BSC042N03ST

BSC042N03ST

Popis: MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BSC036NE7NS3GATMA1

BSC036NE7NS3GATMA1

Popis: MOSFET N-CH 75V 100A TDSON-8

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BSC037N025S G

BSC037N025S G

Popis: MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BSC0502NSIATMA1

BSC0502NSIATMA1

Popis: MOSFET N-CH 30V 26A TDSON-8

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BSC0500NSIATMA1

BSC0500NSIATMA1

Popis: MOSFET N-CH 30V 35A TDSON-8

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BSC0504NSIATMA1

BSC0504NSIATMA1

Popis: MOSFET N-CH 30V 21A TDSON-8

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BSC046N10NS3GATMA1

BSC046N10NS3GATMA1

Popis: MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BSC040N08NS5ATMA1

BSC040N08NS5ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BSC050N03LSGATMA1

BSC050N03LSGATMA1

Popis: MOSFET N-CH 30V 80A TDSON-8

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BSC042N03LSGATMA1

BSC042N03LSGATMA1

Popis: MOSFET N-CH 30V 93A TDSON-8

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BSC046N02KS G

BSC046N02KS G

Popis: MOSFET N-CH 20V 80A TDSON-8

Výrobci: Infineon Technologies
Na skladě
RFQ
BSC0501NSIATMA1

BSC0501NSIATMA1

Popis: MOSFET N-CH 30V 29A 8TDSON

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BSC0503NSIATMA1

BSC0503NSIATMA1

Popis: MOSFET N-CH 30V 22A TDSON-8

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BSC042N03S G

BSC042N03S G

Popis: MOSFET N-CH 30V 95A TDSON-8

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BSC047N08NS3GATMA1

BSC047N08NS3GATMA1

Popis: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BSC037N08NS5ATMA1

BSC037N08NS5ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON

Výrobci: Infineon Technologies
Na skladě
RFQ
BSC039N06NSATMA1

BSC039N06NSATMA1

Popis: MOSFET N-CH 60V 19A TDSON-8

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BSC040N10NS5ATMA1

BSC040N10NS5ATMA1

Popis: MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.