Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > BSC019N04NSGATMA1
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
270295BSC019N04NSGATMA1 Image.International Rectifier (Infineon Technologies)

BSC019N04NSGATMA1

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$1.76
10+
$1.561
100+
$1.234
500+
$0.957
1000+
$0.755
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    BSC019N04NSGATMA1
  • Výrobce / značka
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    BSC019N04NSGATMA1.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    4V @ 85µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    PG-TDSON-8
  • Série
    OptiMOS™
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    1.9 mOhm @ 50A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    2.5W (Ta), 125W (Tc)
  • Obal
    Cut Tape (CT)
  • Paket / krabice
    8-PowerTDFN
  • Ostatní jména
    BSC019N04NS GCT
    BSC019N04NS GCT-ND
    BSC019N04NSGATMA1CT
    BSC019N04NSGATMA1CT-NDTR-ND
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    8800pF @ 20V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    108nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    40V
  • Detailní popis
    N-Channel 40V 30A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    30A (Ta), 100A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „BSC019N04NSGATMA1“.
BSC022N03SG

BSC022N03SG

Popis: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BSC020N03MSGATMA1

BSC020N03MSGATMA1

Popis: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BSC016N04LSGATMA1

BSC016N04LSGATMA1

Popis: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BSC018N04LSGATMA1

BSC018N04LSGATMA1

Popis: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BSC019N06NSATMA1

BSC019N06NSATMA1

Popis: DIFFERENTIATED MOSFETS

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BSC016N06NSATMA1

BSC016N06NSATMA1

Popis: MOSFET N-CH 60V 30A TDSON-8

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BSC019N04LSATMA1

BSC019N04LSATMA1

Popis: MOSFET N-CH 40V 27A 8TDSON

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BSC018NE2LSATMA1

BSC018NE2LSATMA1

Popis: MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BSC019N04LSTATMA1

BSC019N04LSTATMA1

Popis: DIFFERENTIATED MOSFETS

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BSC020N03LSGATMA2

BSC020N03LSGATMA2

Popis: LV POWER MOS

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BSC017N04NSGATMA1

BSC017N04NSGATMA1

Popis: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BSC018NE2LSIATMA1

BSC018NE2LSIATMA1

Popis: MOSFET N-CH 25V 29A TDSON-8

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BSC024NE2LSATMA1

BSC024NE2LSATMA1

Popis: MOSFET N-CH 25V 25A TDSON-8

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BSC022N03S

BSC022N03S

Popis: MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BSC019N02KSGAUMA1

BSC019N02KSGAUMA1

Popis: MOSFET N-CH 20V 100A TDSON-8

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BSC020N03LSGATMA1

BSC020N03LSGATMA1

Popis: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BSC024N025S G

BSC024N025S G

Popis: MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BSC016N06NSTATMA1

BSC016N06NSTATMA1

Popis: DIFFERENTIATED MOSFETS

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BSC022N04LSATMA1

BSC022N04LSATMA1

Popis: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
BSC020N025S G

BSC020N025S G

Popis: MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.