Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Integrované obvody (ICS) > PMIC - ovladače brány > IXDN602SITR
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
674072

IXDN602SITR

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
2000+
$0.932
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    IXDN602SITR
  • Výrobce / značka
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    2A 8SOIC EXP MTL DUAL NON INVERT
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
  • Napětí - Supply
    4.5 V ~ 35 V
  • Dodavatel zařízení Package
    8-SOIC-EP
  • Série
    -
  • Doba vzestupu / pádu (typ)
    7.5ns, 6.5ns
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • vstupní frekvence
    2
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    7 Weeks
  • Logické napětí - VIL, VIH
    0.8V, 3V
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ vstupu
    Non-Inverting
  • Typ brány
    IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
  • Řízená konfigurace
    Low-Side
  • Detailní popis
    Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC-EP
  • Aktuální - špičkový výstup (zdroj, dřez)
    2A, 2A
  • Base-emiter (Max)
    Independent
IXDN602PI

IXDN602PI

Popis: MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-DI

Výrobci: IXYS Integrated Circuits Division
Na skladě
IXDN604WW

IXDN604WW

Popis: 4 AMP GATE DRIVER, FOR WHOLE WAF

Výrobci: IXYS Integrated Circuits Division
Na skladě
IXDN602SI

IXDN602SI

Popis: MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO

Výrobci: IXYS Integrated Circuits Division
Na skladě
IXDN604PI

IXDN604PI

Popis: IC GATE DVR 4A DUAL NONINV 8DIP

Výrobci: IXYS Integrated Circuits Division
Na skladě
IXDN602D2TR

IXDN602D2TR

Popis: IC GATE DVR 2A DUAL HS 8DFN

Výrobci: IXYS Integrated Circuits Division
Na skladě
IXDN514SIAT/R

IXDN514SIAT/R

Popis: IC GATE DRIVER SGL 14A 8-SOIC

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
IXDN514D1T/R

IXDN514D1T/R

Popis: IC GATE DRIVER SGL 14A 6-DFN

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
IXDN609SI

IXDN609SI

Popis: IC GATE DVR 9A NON-INV 8-SOIC

Výrobci: IXYS Integrated Circuits Division
Na skladě
IXDN514PI

IXDN514PI

Popis: IC GATE DRIVER SGL 14A 8-DIP

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
IXDN604SI

IXDN604SI

Popis: IC GATE DVR 4A DUAL NONINV 8SOIC

Výrobci: IXYS Integrated Circuits Division
Na skladě
IXDN609SIA

IXDN609SIA

Popis: IC GATE DVR 9A NON-INV 8SOIC

Výrobci: IXYS Integrated Circuits Division
Na skladě
IXDN604SIATR

IXDN604SIATR

Popis: IC GATE DVR 4A DUAL HS 8SOIC

Výrobci: IXYS Integrated Circuits Division
Na skladě
IXDN604SITR

IXDN604SITR

Popis: IC GATE DVR 4A DUAL HS 8SOIC

Výrobci: IXYS Integrated Circuits Division
Na skladě
IXDN514SIA

IXDN514SIA

Popis: IC GATE DRIVER SGL 14A 8-SOIC

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
IXDN602SIA

IXDN602SIA

Popis: DUAL LOW SIDE MOSFET DRIVER

Výrobci: IXYS Integrated Circuits Division
Na skladě
IXDN609PI

IXDN609PI

Popis: IC GATE DVR 9A NON-INV 8DIP

Výrobci: IXYS Integrated Circuits Division
Na skladě
IXDN604SIA

IXDN604SIA

Popis: IC GATE DVR 4A DUAL NONINV 8SOIC

Výrobci: IXYS Integrated Circuits Division
Na skladě
IXDN602SIATR

IXDN602SIATR

Popis: 2A 8 LEAD SOIC DUAL NON INVERTIN

Výrobci: IXYS Integrated Circuits Division
Na skladě
IXDN55N120D1

IXDN55N120D1

Popis: IGBT 1200V 100A W/DIODE SOT-227B

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
IXDN609CI

IXDN609CI

Popis: IC GATE DVR 9A NON-INV TO220-5

Výrobci: IXYS Integrated Circuits Division
Na skladě

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení