Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - IGBT - moduly > MKI100-12F8
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
6593658

MKI100-12F8

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
5+
$124.848
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    MKI100-12F8
  • Výrobce / značka
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOD IGBT H-BRIDGE 1200V 125A E3
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
  • ECAD model
  • Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max)
    1200V
  • VCE (o) (Max) @ VGE, Ic
    3.9V @ 15V, 100A
  • Dodavatel zařízení Package
    E3
  • Série
    -
  • Power - Max
    640W
  • Paket / krabice
    E3
  • Provozní teplota
    -40°C ~ 125°C (TJ)
  • NTC termistor
    No
  • Typ montáže
    Chassis Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    32 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Cies) @ Vce
    6.5nF @ 25V
  • Vstup
    Standard
  • Typ IGBT
    NPT
  • Detailní popis
    IGBT Module NPT Full Bridge Inverter 1200V 125A 640W Chassis Mount E3
  • Aktuální - sběratel Cutoff (Max)
    1.3mA
  • Proud - Collector (Ic) (Max)
    125A
  • Konfigurace
    Full Bridge Inverter
  • Číslo základní části
    MKI
MKI75-06A7T

MKI75-06A7T

Popis: IGBT H-BRIDGE 600V E2PACK

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
FMS6G10US60S

FMS6G10US60S

Popis: IGBT 600V 10A 25PM-AA

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
FMS7G15US60S

FMS7G15US60S

Popis: IGBT 600V 15A 25PM-AA

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
MKI75-06A7

MKI75-06A7

Popis: MOD IGBT H-BRIDGE 600V 90A E2

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
MKI50-06A7T

MKI50-06A7T

Popis: IGBT H-BRIDGE 72A 600V E2PACK

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
MKITDAC 9445/009

MKITDAC 9445/009

Popis: ANTI-ROTATION TETHER KIT

Výrobci: BEI Sensors
Na skladě
MKI50-06A7

MKI50-06A7

Popis: MOD IGBT H-BRIDGE 600V 72A E2

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
APTGT400DA120D3G

APTGT400DA120D3G

Popis: IGBT 1200V 580A 2100W D3

Výrobci: Microsemi
Na skladě
FD600R17KE3KB5NOSA1

FD600R17KE3KB5NOSA1

Popis: IGBT MODULE VCES 600V 600A

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
MKI100-12E8

MKI100-12E8

Popis: MOD IGBT H-BRIDGE 1200V 165A E3

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
MKI50-12E7

MKI50-12E7

Popis: MOD IGBT H-BRIDGE 1200V 90A E2

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
GHIS040A120S-A1

GHIS040A120S-A1

Popis: IGBT BOOST CHOP 1200V 80A SOT227

Výrobci: Global Power Technologies Group
Na skladě
MKI75-12E8

MKI75-12E8

Popis: MOD IGBT H-BRIDGE 1200V 130A E3

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
IRG7U100HF12B

IRG7U100HF12B

Popis: MOD IGBT 1200V 100A POWIR 62

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
MKI80-06T6K

MKI80-06T6K

Popis: MOD IGBT H-BRIDGE 600V 89A E1

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
CM900DU-24NF

CM900DU-24NF

Popis: IGBT MOD DUAL 1200V 900A NF MEGA

Výrobci: Powerex, Inc.
Na skladě
MKITPH

MKITPH

Popis: MAKER KIT

Výrobci: Particle
Na skladě
APTGTQ100SK65T1G

APTGTQ100SK65T1G

Popis: POWER MODULE - IGBT

Výrobci: Microsemi
Na skladě
MKI65-06A7T

MKI65-06A7T

Popis: IGBT H-BRIDGE 600V E2PACK

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
MKI50-12F7

MKI50-12F7

Popis: MOD IGBT H-BRIDGE 1200V 65A E2

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení