Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - IGBT - moduly > MIEB100W1200TEH
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
5604278

MIEB100W1200TEH

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
5+
$141.418
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    MIEB100W1200TEH
  • Výrobce / značka
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    IGBT MODULE 1200V 183A HEX
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max)
    1200V
  • VCE (o) (Max) @ VGE, Ic
    2.2V @ 15V, 100A
  • Dodavatel zařízení Package
    E3
  • Série
    -
  • Power - Max
    630W
  • Paket / krabice
    E3
  • Provozní teplota
    -40°C ~ 125°C (TJ)
  • NTC termistor
    Yes
  • Typ montáže
    Chassis Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Cies) @ Vce
    7.43nF @ 25V
  • Vstup
    Standard
  • Typ IGBT
    -
  • Detailní popis
    IGBT Module Three Phase Inverter 1200V 183A 630W Chassis Mount E3
  • Aktuální - sběratel Cutoff (Max)
    300µA
  • Proud - Collector (Ic) (Max)
    183A
  • Konfigurace
    Three Phase Inverter
APTGF90DA60T1G

APTGF90DA60T1G

Popis: IGBT 600V 110A 416W SP1

Výrobci: Microsemi
Na skladě
MIEB101H1200EH

MIEB101H1200EH

Popis: IGBT MODULE 1200V 183A QUAD

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
APTGT100TL170G

APTGT100TL170G

Popis: PWR MOD IGBT 3LEVEL INVERTER SP6

Výrobci: Microsemi
Na skladě
IXGN400N60B3

IXGN400N60B3

Popis: IGBT 600V 430A SOT-227

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
CM30TF-12H

CM30TF-12H

Popis: IGBT MOD 6PAC 600V 30A H SER

Výrobci: Powerex, Inc.
Na skladě
APTGT50A60T1G

APTGT50A60T1G

Popis: IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP1

Výrobci: Microsemi
Na skladě
MG400J2YS61A

MG400J2YS61A

Popis: IGBT MOD CMPCT DUAL 600V 400A

Výrobci: Powerex, Inc.
Na skladě
VWI3X20-06P1

VWI3X20-06P1

Popis: MODULE IGBT 3X20A 600V ECO-PAC1

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
FS200T12A1T4BOSA1

FS200T12A1T4BOSA1

Popis: MODULE IGBT HYBRID PK

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
CM75RX-24A

CM75RX-24A

Popis: IGBT MOD 7PAC 1200V 75A NX SER

Výrobci: Powerex, Inc.
Na skladě
F3L200R12W2H3PB11BPSA1

F3L200R12W2H3PB11BPSA1

Popis: MODULE IGBT 1200V EASY2B-2

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
MG400V2YS60A

MG400V2YS60A

Popis: IGBT MOD CMPCT DUAL 1700V 400A

Výrobci: Powerex, Inc.
Na skladě
FZ250R65KE3NPSA1

FZ250R65KE3NPSA1

Popis: MODULE IGBT A-IHV73-6

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
FP50R12KT4BOSA1

FP50R12KT4BOSA1

Popis: IGBT MODULE VCES 600V 50A

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
MIEB101W1200EH

MIEB101W1200EH

Popis: IGBT MODULE 1200V 183A HEX

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
FMG2G100US60

FMG2G100US60

Popis: IGBT MOLDING 600V 100A 7PM-GA

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
VS-GT180DA120U

VS-GT180DA120U

Popis: IGBT 1200V SOT-227

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
APT50GF60JU3

APT50GF60JU3

Popis: IGBT 600V 75A 277W SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APTGT150A120T3AG

APTGT150A120T3AG

Popis: IGBT ARRAY 1200V 220A 833W SP3

Výrobci: Microsemi
Na skladě
FF450R12KT4HOSA1

FF450R12KT4HOSA1

Popis: IGBT MODULE 1200V 450A

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení