domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - IGBT - moduly > MIAA10WE600TMH
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
3120926

MIAA10WE600TMH

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    MIAA10WE600TMH
  • Výrobce / značka
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MODULE IGBT CBI
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
  • ECAD model
  • Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max)
    600V
  • VCE (o) (Max) @ VGE, Ic
    2.6V @ 15V, 10A
  • Dodavatel zařízení Package
    MiniPack2
  • Série
    -
  • Power - Max
    70W
  • Paket / krabice
    MiniPack2
  • Provozní teplota
    -40°C ~ 125°C (TJ)
  • NTC termistor
    Yes
  • Typ montáže
    Chassis Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Cies) @ Vce
    0.45nF @ 25V
  • Vstup
    Single Phase Bridge Rectifier
  • Typ IGBT
    NPT
  • Detailní popis
    IGBT Module NPT Three Phase Inverter with Brake 600V 18A 70W Chassis Mount MiniPack2
  • Aktuální - sběratel Cutoff (Max)
    600µA
  • Proud - Collector (Ic) (Max)
    18A
  • Konfigurace
    Three Phase Inverter with Brake
  • Číslo základní části
    MIAA10W
VS-GT100NA120UX

VS-GT100NA120UX

Popis: IGBT 1200V 134A 463W SOT-227

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
VS-GB300NH120N

VS-GB300NH120N

Popis: IGBT 1200V 500A 1645W INT-A-PAK

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
IXBN75N170

IXBN75N170

Popis: IGBT BIMOSFET 1700V 145A SOT227B

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
MIAA15WE600TMH

MIAA15WE600TMH

Popis: MODULE IGBT CBI

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
FS25R12W1T4BOMA1

FS25R12W1T4BOMA1

Popis: IGBT MODULE 1200V 25A

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
MIAA15WD600TMH

MIAA15WD600TMH

Popis: MODULE IGBT CBI

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
MIAA20WB600TMH

MIAA20WB600TMH

Popis: MODULE IGBT CBI

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
VS-GB100TP120U

VS-GB100TP120U

Popis: IGBT 1200V 150A 735W INT-A-PAK

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
MIA24003ST

MIA24003ST

Popis: RF ANT 2.4GHZ DOME N FEM PAN MT

Výrobci: Laird Technologies - Antennas
Na skladě
MIAA10WD600TMH

MIAA10WD600TMH

Popis: MODULE IGBT CBI

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
FMG2G100US60

FMG2G100US60

Popis: IGBT MOLDING 600V 100A 7PM-GA

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
MIAA10WF600TMH

MIAA10WF600TMH

Popis: MODULE IGBT CBI

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
MIAA10WB600TMH

MIAA10WB600TMH

Popis: MODULE IGBT CBI

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
MIAA20WE600TMH

MIAA20WE600TMH

Popis: MODULE IGBT CBI

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
APTGF150A120T3AG

APTGF150A120T3AG

Popis: POWER MOD IGBT NPT PHASE LEG SP3

Výrobci: Microsemi
Na skladě
MIAA15WB600TMH

MIAA15WB600TMH

Popis: MODULE IGBT CBI

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
MIA24003

MIA24003

Popis: RF ANT 2.4GHZ DOME N FEM PAN MT

Výrobci: Laird Technologies - Antennas
Na skladě
FF45R12W1J1B11BPSA1

FF45R12W1J1B11BPSA1

Popis: IGBT MODULE 1200V 45A EASY1B

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
MIAA20WD600TMH

MIAA20WD600TMH

Popis: MODULE IGBT CBI

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
FF600R12ME4CBOSA1

FF600R12ME4CBOSA1

Popis: IGBT MODULE 1200V 600A

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení