Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > IXTU01N100D
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
1955447IXTU01N100D Image.IXYS Corporation

IXTU01N100D

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
75+
$1.385
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    IXTU01N100D
  • Výrobce / značka
    IXYS / Littelfuse
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-251
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    IXTU01N100D.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    5V @ 25µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    TO-251
  • Série
    -
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    80 Ohm @ 50mA, 0V
  • Ztráta energie (Max)
    1.1W (Ta), 25W (Tc)
  • Obal
    Tube
  • Paket / krabice
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Through Hole
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    14 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    120pF @ 25V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    Depletion Mode
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    0V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    1000V
  • Detailní popis
    N-Channel 1000V 100mA (Tc) 1.1W (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-251
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    100mA (Tc)

AMD zahajuje výstavbu druhé fáze Design Center Bangalore

2024/11/26

Grafická karta NVIDIA RTX 5090 má oblast GPU 744 mm ², c...

2024/11/25

Antropic obdrží od Amazonu další investici 4 miliardy d...

2024/11/23

Semi: IC zvýšení prodeje o 12% ve čtvrtletí, oček...

2024/11/22

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „IXTU01N100D“.
IXTT88N30P

IXTT88N30P

Popis: MOSFET N-CH 300V 88A TO-268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTU08N100P

IXTU08N100P

Popis: MOSFET N-CH 1000V 8A TO-251

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTT8P50

IXTT8P50

Popis: MOSFET P-CH 500V 8A TO-268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTT96N20P

IXTT96N20P

Popis: MOSFET N-CH 200V 96A TO-268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTU05N120

IXTU05N120

Popis: MOSFET N-CH 1200V 0.5A TO-251

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTU1R4N60P

IXTU1R4N60P

Popis: MOSFET N-CH 600V 1.4A TO251

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTU06N120P

IXTU06N120P

Popis: MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-251

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTT75N20L2

IXTT75N20L2

Popis: MOSFET N-CH 200V 75A D2PAK

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTU02N50D

IXTU02N50D

Popis: MOSFET N-CH 500V 0.2A TO-251

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTU01N100

IXTU01N100

Popis: MOSFET N-CH 1KV .1A I-PAK

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTT88N15

IXTT88N15

Popis: MOSFET N-CH 150V 88A TO-268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTU44N10T

IXTU44N10T

Popis: MOSFET N-CH 100V 44A TO-251

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTT82N25P

IXTT82N25P

Popis: MOSFET N-CH 250V 82A TO-268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTT90P10P

IXTT90P10P

Popis: MOSFET P-CH 100V 90A TO-268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTT80N20L

IXTT80N20L

Popis: MOSFET N-CH 200V 80A TO-268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTU2N80P

IXTU2N80P

Popis: MOSFET N-CH TO-251

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTT96N15P

IXTT96N15P

Popis: MOSFET N-CH 150V 96A TO-268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTU01N80

IXTU01N80

Popis: MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-251

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTU12N06T

IXTU12N06T

Popis: MOSFET N-CH 60V 12A TO-251

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTU05N100

IXTU05N100

Popis: MOSFET N-CH 1000V 750MA TO-251

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.