Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > IXTQ200N10T
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
1988884IXTQ200N10T Image.IXYS Corporation

IXTQ200N10T

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$6.47
30+
$5.201
120+
$4.739
510+
$3.837
1020+
$3.236
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    IXTQ200N10T
  • Výrobce / značka
    IXYS / Littelfuse
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 100V 200A TO-3P
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    IXTQ200N10T.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    4.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    TO-3P
  • Série
    TrenchMV™
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    5.5 mOhm @ 50A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    550W (Tc)
  • Obal
    Tube
  • Paket / krabice
    TO-3P-3, SC-65-3
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Typ montáže
    Through Hole
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    9400pF @ 25V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    152nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    100V
  • Detailní popis
    N-Channel 100V 200A (Tc) 550W (Tc) Through Hole TO-3P
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    200A (Tc)

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „IXTQ200N10T“.
IXTQ22N60P

IXTQ22N60P

Popis: MOSFET N-CH 600V 22A TO-3P

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTQ16N50P

IXTQ16N50P

Popis: MOSFET N-CH 500V 16A TO-3P

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTQ26N50P

IXTQ26N50P

Popis: MOSFET N-CH 500V 26A TO-3P

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTQ18N60P

IXTQ18N60P

Popis: MOSFET N-CH 600V 18A TO-3P

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTQ180N10T

IXTQ180N10T

Popis: MOSFET N-CH 100V 180A TO-3P

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTQ200N06P

IXTQ200N06P

Popis: MOSFET N-CH 60V 200A TO-3P

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTQ250N075T

IXTQ250N075T

Popis: MOSFET N-CH 75V 250A TO-3P

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTQ22N50P

IXTQ22N50P

Popis: MOSFET N-CH 500V 22A TO-3P

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTQ200N085T

IXTQ200N085T

Popis: MOSFET N-CH 85V 200A TO-3P

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTQ220N055T

IXTQ220N055T

Popis: MOSFET N-CH 55V 220A TO-3P

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTQ220N075T

IXTQ220N075T

Popis: MOSFET N-CH 75V 220A TO-3P

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTQ26P20P

IXTQ26P20P

Popis: MOSFET P-CH 200V 26A TO-3P

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTQ180N055T

IXTQ180N055T

Popis: MOSFET N-CH 55V 180A TO-3P

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTQ230N085T

IXTQ230N085T

Popis: MOSFET N-CH 85V 230A TO-3P

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTQ200N075T

IXTQ200N075T

Popis: MOSFET N-CH 75V 200A TO-3P

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTQ180N085T

IXTQ180N085T

Popis: MOSFET N-CH 85V 180A TO-3P

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTQ182N055T

IXTQ182N055T

Popis: MOSFET N-CH 55V 182A TO-3P

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTQ170N10P

IXTQ170N10P

Popis: MOSFET N-CH 100V 170A TO-3P

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTQ26N60P

IXTQ26N60P

Popis: MOSFET N-CH 600V 26A TO-3P

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTQ240N055T

IXTQ240N055T

Popis: MOSFET N-CH 55V 240A TO-3P

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.