Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > IXTH1N200P3
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
1990829IXTH1N200P3 Image.IXYS Corporation

IXTH1N200P3

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$7.27
30+
$5.964
120+
$5.383
510+
$4.51
1020+
$3.928
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    IXTH1N200P3
  • Výrobce / značka
    IXYS / Littelfuse
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 2000V 1A TO-247
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    IXTH1N200P3.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    TO-247 (IXTH)
  • Série
    -
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    40 Ohm @ 500mA, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    125W (Tc)
  • Obal
    Tube
  • Paket / krabice
    TO-247-3
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Through Hole
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    646pF @ 25V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    23.5nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    2000V
  • Detailní popis
    N-Channel 2000V 1A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    1A (Tc)

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „IXTH1N200P3“.
IXTH16N50D2

IXTH16N50D2

Popis: MOSFET N-CH 500V 16A TO-247

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTH20N60

IXTH20N60

Popis: MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTH1N170DHV

IXTH1N170DHV

Popis: MOSFET N-CH

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTH200N10T

IXTH200N10T

Popis: MOSFET N-CH 100V 200A TO-247

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTH1N300P3HV

IXTH1N300P3HV

Popis: 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTH180N10T

IXTH180N10T

Popis: MOSFET N-CH 100V 180A TO-247

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTH200N075T

IXTH200N075T

Popis: MOSFET N-CH 75V 200A TO-247

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTH1N450HV

IXTH1N450HV

Popis: 2500V TO 4500V VERY HI VOLT PWR

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTH1N100

IXTH1N100

Popis: MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-247

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTH20N50D

IXTH20N50D

Popis: MOSFET N-CH 500V 20A TO-247

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTH20P50P

IXTH20P50P

Popis: MOSFET P-CH 500V 20A TO-247

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTH16N20D2

IXTH16N20D2

Popis: MOSFET N-CH 200V 16A TO-247

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTH16N10D2

IXTH16N10D2

Popis: MOSFET N-CH 100V 16A TO-247

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTH16P60P

IXTH16P60P

Popis: MOSFET P-CH 600V 16A TO-247

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTH16P20

IXTH16P20

Popis: MOSFET P-CH 200V 16A TO-247

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTH20N65X

IXTH20N65X

Popis: MOSFET N-CH 650V 20A TO-247

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTH1N200P3HV

IXTH1N200P3HV

Popis: MOSFET N-CH 2000V 1A TO-247HV

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTH182N055T

IXTH182N055T

Popis: MOSFET N-CH 55V 182A TO-247

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTH180N085T

IXTH180N085T

Popis: MOSFET N-CH 85V 180A TO-247

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTH200N085T

IXTH200N085T

Popis: MOSFET N-CH 85V 200A TO-247

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.