Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > IXTA1R4N120P
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
405330IXTA1R4N120P Image.IXYS Corporation

IXTA1R4N120P

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
50+
$3.726
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    IXTA1R4N120P
  • Výrobce / značka
    IXYS / Littelfuse
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-263
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    IXTA1R4N120P.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    4.5V @ 100µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    TO-263 (IXTA)
  • Série
    Polar™
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    13 Ohm @ 500mA, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    86W (Tc)
  • Obal
    Tube
  • Paket / krabice
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    24 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    666pF @ 25V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    24.8nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    1200V
  • Detailní popis
    N-Channel 1200V 1.4A (Tc) 86W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA)
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    1.4A (Tc)

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „IXTA1R4N120P“.
IXTA200N085T

IXTA200N085T

Popis: MOSFET N-CH 85V 200A TO-263

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTA1N200P3HV

IXTA1N200P3HV

Popis: MOSFET N-CH 2000V 1A TO-263HV

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTA1N120P

IXTA1N120P

Popis: MOSFET N-CH 1200V 1A TO-263

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTA1N100P

IXTA1N100P

Popis: MOSFET N-CH 1000V 1A TO-263

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTA1R6N50D2

IXTA1R6N50D2

Popis: MOSFET N-CH 500V 1.6A D2PAK

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTA200N075T7

IXTA200N075T7

Popis: MOSFET N-CH 75V 200A TO-263-7

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTA20N65X

IXTA20N65X

Popis: MOSFET N-CH 650V 20A TO-263

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTA182N055T

IXTA182N055T

Popis: MOSFET N-CH 55V 182A TO-263

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTA1N100

IXTA1N100

Popis: MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-263

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTA1N170DHV

IXTA1N170DHV

Popis: MOSFET N-CH 1700V 1A TO-263

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTA1R6N100D2HV

IXTA1R6N100D2HV

Popis: MOSFET N-CH

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTA200N075T

IXTA200N075T

Popis: MOSFET N-CH 75V 200A TO-263

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTA18P10T

IXTA18P10T

Popis: MOSFET P-CH 100V 18A TO-263

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTA182N055T7

IXTA182N055T7

Popis: MOSFET N-CH 55V 182A TO-263-7

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTA1R4N100P

IXTA1R4N100P

Popis: MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-263

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTA1N80

IXTA1N80

Popis: MOSFET N-CH 800V 750MA TO-263

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTA200N085T7

IXTA200N085T7

Popis: MOSFET N-CH 85V 200A TO-263-7

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTA220N04T2-7

IXTA220N04T2-7

Popis: MOSFET N-CH 40V 220A TO-263-7

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTA200N055T2

IXTA200N055T2

Popis: MOSFET N-CH 55V 200A TO-263

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTA1R6N100D2

IXTA1R6N100D2

Popis: MOSFET N-CH 1000V 1.6A D2PAK

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.