Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > IXFN32N60
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
6328158IXFN32N60 Image.IXYS Corporation

IXFN32N60

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
10+
$32.616
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    IXFN32N60
  • Výrobce / značka
    IXYS / Littelfuse
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 600V 32A SOT-227
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    IXFN32N60.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    4.5V @ 8mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    SOT-227B
  • Série
    HiPerFET™
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    250 mOhm @ 500mA, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    520AW (Tc)
  • Obal
    Tube
  • Paket / krabice
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Chassis Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    9000pF @ 25V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    325nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    600V
  • Detailní popis
    N-Channel 600V 32A (Tc) 520AW (Tc) Chassis Mount SOT-227B
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    32A (Tc)

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „IXFN32N60“.
IXFN32N100P

IXFN32N100P

Popis: MOSFET N-CH 1000V 27A SOT-227B

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFN34N100

IXFN34N100

Popis: MOSFET N-CH 1000V 34A SOT-227B

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFN340N07

IXFN340N07

Popis: MOSFET N-CH 70V 340A SOT-227B

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFN32N80P

IXFN32N80P

Popis: MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227B

Výrobci: IXYS
Na skladě
RFQ
IXFN280N07

IXFN280N07

Popis: MOSFET N-CH 70V 280A SOT-227B

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFN36N60

IXFN36N60

Popis: MOSFET N-CH 600V 36A SOT-227B

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFN32N120P

IXFN32N120P

Popis: MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFN36N100

IXFN36N100

Popis: MOSFET N-CH 1KV 36A SOT-227B

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFN32N100Q3

IXFN32N100Q3

Popis: MOSFET N-CH 1000V 28A SOT-227

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFN30N120P

IXFN30N120P

Popis: MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227B

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFN300N10P

IXFN300N10P

Popis: MOSFET N-CH 100V 295A SOT-227

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFN36N110P

IXFN36N110P

Popis: MOSFET N-CH 1100V 36A SOT-227B

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFN30N110P

IXFN30N110P

Popis: MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFN300N20X3

IXFN300N20X3

Popis: 200V/300A ULTRA JUNCTION X3-CLAS

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFN360N10T

IXFN360N10T

Popis: MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFN320N17T2

IXFN320N17T2

Popis: MOSFET N-CH 170V 260A SOT227

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFN280N085

IXFN280N085

Popis: MOSFET N-CH 85V 280A SOT-227B

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFN360N15T2

IXFN360N15T2

Popis: MOSFET N-CH 150V 310A SOT227

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFN340N06

IXFN340N06

Popis: MOSFET N-CH 60V 340A SOT-227B

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFN34N80

IXFN34N80

Popis: MOSFET N-CH 800V 34A SOT-227B

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.