Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > IXFN160N30T
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
1894092IXFN160N30T Image.IXYS Corporation

IXFN160N30T

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$21.76
10+
$20.128
30+
$18.496
100+
$17.19
250+
$15.776
500+
$15.014
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    IXFN160N30T
  • Výrobce / značka
    IXYS / Littelfuse
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 300V 130A SOT227
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    IXFN160N30T.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    5V @ 8mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    SOT-227B
  • Série
    GigaMOS™
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    19 mOhm @ 60A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    900W (Tc)
  • Obal
    Tube
  • Paket / krabice
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Chassis Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    24 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    28000pF @ 25V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    335nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    300V
  • Detailní popis
    N-Channel 300V 130A (Tc) 900W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    130A (Tc)

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „IXFN160N30T“.
IXFN170N30P

IXFN170N30P

Popis: MOSFET N-CH 300V 138A SOT-227B

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFN132N50P3

IXFN132N50P3

Popis: MOSFET N-CH 500V 112A SOT227

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFN170N65X2

IXFN170N65X2

Popis: MOSFET N-CH

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFN120N65X2

IXFN120N65X2

Popis: MOSFET N-CH 650V 108A SOT-227

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFN140N20P

IXFN140N20P

Popis: MOSFET N-CH 200V 115A SOT227B

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFN180N07

IXFN180N07

Popis: MOSFET N-CH 70V 180A SOT-227B

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFN150N10

IXFN150N10

Popis: MOSFET N-CH 100V 150A SOT-227

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFN180N10

IXFN180N10

Popis: MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227B

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFN130N30

IXFN130N30

Popis: MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227B

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFN150N15

IXFN150N15

Popis: MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFN180N15P

IXFN180N15P

Popis: MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227B

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFN180N20

IXFN180N20

Popis: MOSFET N-CH 200V 180A SOT-227B

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFN170N10

IXFN170N10

Popis: MOSFET N-CH 100V 170A SOT-227B

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFN200N07

IXFN200N07

Popis: MOSFET N-CH 70V 200A SOT-227B

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFN180N25T

IXFN180N25T

Popis: MOSFET N-CH 250V 168A SOT-227

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFN120N25

IXFN120N25

Popis: MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227B

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFN140N25T

IXFN140N25T

Popis: MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFN140N30P

IXFN140N30P

Popis: MOSFET N-CH 300V 110A SOT-227B

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFN170N25X3

IXFN170N25X3

Popis: MOSFET N-CH 250V 170A SOT227B

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXFN150N65X2

IXFN150N65X2

Popis: MOSFET N-CH 650V 145A SOT-227

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.