Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - IGBT - Single > IXDH20N120
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
2190567IXDH20N120 Image.IXYS Corporation

IXDH20N120

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
30+
$6.436
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    IXDH20N120
  • Výrobce / značka
    IXYS / Littelfuse
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    IGBT 1200V 38A 200W TO247AD
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    IXDH20N120.pdf
  • Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max)
    1200V
  • VCE (o) (Max) @ VGE, Ic
    3V @ 15V, 20A
  • Zkušební podmínky
    600V, 20A, 82 Ohm, 15V
  • Td (zapnuto / vypnuto) při 25 ° C
    -
  • přepínání energie
    3.1mJ (on), 2.4mJ (off)
  • Dodavatel zařízení Package
    TO-247AD
  • Série
    -
  • Power - Max
    200W
  • Obal
    Tube
  • Paket / krabice
    TO-3P-3 Full Pack
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Through Hole
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    32 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ vstupu
    Standard
  • Typ IGBT
    NPT
  • Gate Charge
    70nC
  • Detailní popis
    IGBT NPT 1200V 38A 200W Through Hole TO-247AD
  • Aktuální - sběratel Pulsní (ICM)
    50A
  • Proud - Collector (Ic) (Max)
    38A
  • Číslo základní části
    IXD*20N120

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip oznamuje 500 propouštění, s restrukturalizačn...

2024/12/4

Quanta: Poptávka AI je i nadále silná, se stálým proud...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung výrazně snižuje využití fotorezistů ve 3D vý...

2024/12/2

Vishay investuje 51 milionů GBP do získané NWF Wafer Fab

2024/11/29

Trumpova tarifní hrozba, Nvidia, dodavatelé Intel Reasses...

2024/11/28

Intel obdrží 7,86 miliardy dolarů na dotace podle americ...

2024/11/27

AMD zahajuje výstavbu druhé fáze Design Center Bangalore

2024/11/26
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „IXDH20N120“.
IXDH35N60B

IXDH35N60B

Popis: IGBT 600V 60A 250W TO247AD

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXDF604SITR

IXDF604SITR

Popis: IC GATE DVR 4A DUAL HS 8SOIC

Výrobci: IXYS Integrated Circuits Division
Na skladě
RFQ
IXDI402PI

IXDI402PI

Popis: IC MOSFET DRVR DUAL 2A 8-DIP

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXDI404PI

IXDI404PI

Popis: IC MOSFET DRIVER LS 4A DUAL 8DIP

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXDF602SIATR

IXDF602SIATR

Popis: 2A 8 SOIC DUAL INV/NON-INVERTING

Výrobci: IXYS Integrated Circuits Division
Na skladě
RFQ
IXDF602SITR

IXDF602SITR

Popis: 2A 8SOIC EXP MTL DUAL IN/NON-INV

Výrobci: IXYS Integrated Circuits Division
Na skladě
RFQ
IXDF604SI

IXDF604SI

Popis: IC GATE DVR 4A DUAL IN/NON 8SOIC

Výrobci: IXYS Integrated Circuits Division
Na skladě
RFQ
IXDH20N120D1

IXDH20N120D1

Popis: IGBT 1200V 38A 200W TO247AD

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXDF602PI

IXDF602PI

Popis: 2A MOSFET 8 DIP DUAL INV/NON-INV

Výrobci: IXYS Integrated Circuits Division
Na skladě
RFQ
IXDH35N60BD1

IXDH35N60BD1

Popis: IGBT 600V 60A 250W TO247AD

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXDF604SIATR

IXDF604SIATR

Popis: IC GATE DVR 4A DUAL HS 8SOIC

Výrobci: IXYS Integrated Circuits Division
Na skladě
RFQ
IXDF602SIA

IXDF602SIA

Popis: MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO

Výrobci: IXYS Integrated Circuits Division
Na skladě
RFQ
IXDH30N120

IXDH30N120

Popis: IGBT 1200V 60A 300W TO247AD

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXDF604PI

IXDF604PI

Popis: IC GATE DVR 4A DUAL HS 8DIP

Výrobci: IXYS Integrated Circuits Division
Na skladě
RFQ
IXDH30N120D1

IXDH30N120D1

Popis: IGBT 1200V 60A 300W TO247AD

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXDI402SIA

IXDI402SIA

Popis: IC MOSFET DRVR DUAL 2A 8-SOIC

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXDF604SIA

IXDF604SIA

Popis: IC GATE DVR 4A DIFF 8-SOIC

Výrobci: IXYS Integrated Circuits Division
Na skladě
RFQ
IXDF602SI

IXDF602SI

Popis: 2A 8SOIC EXP MTL DUAL IN/NON-INV

Výrobci: IXYS Integrated Circuits Division
Na skladě
RFQ
IXDI404SI

IXDI404SI

Popis: IC MOSFET DRVR LS 4A DUAL 8-SOIC

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXDI402SI

IXDI402SI

Popis: IC MOSFET DRIVER LS 2A 8SOIC

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.