Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - IGBT - Single > IXBT12N300HV
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
2515922IXBT12N300HV Image.IXYS Corporation

IXBT12N300HV

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
30+
$25.347
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    IXBT12N300HV
  • Výrobce / značka
    IXYS / Littelfuse
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    IGBT 3000V 30A 160W TO268
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    IXBT12N300HV.pdf
  • Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max)
    3000V
  • VCE (o) (Max) @ VGE, Ic
    3.2V @ 15V, 12A
  • Zkušební podmínky
    1250V, 12A, 10 Ohm, 15V
  • Td (zapnuto / vypnuto) při 25 ° C
    64ns/180ns
  • přepínání energie
    -
  • Dodavatel zařízení Package
    TO-268
  • Série
    BIMOSFET™
  • Reverse Time Recovery (TRR)
    1.4µs
  • Power - Max
    160W
  • Obal
    Tube
  • Paket / krabice
    TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    24 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ vstupu
    Standard
  • Typ IGBT
    -
  • Gate Charge
    62nC
  • Detailní popis
    IGBT 3000V 30A 160W Surface Mount TO-268
  • Aktuální - sběratel Pulsní (ICM)
    100A
  • Proud - Collector (Ic) (Max)
    30A

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „IXBT12N300HV“.
IXBT10N170

IXBT10N170

Popis: IGBT 1700V 20A 140W TO268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXBT42N170

IXBT42N170

Popis: IGBT 1700V 80A 360W TO268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXBT20N300

IXBT20N300

Popis: IGBT 3000V 50A 250W TO268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXBT32N300

IXBT32N300

Popis: IGBT 3000V 80A 400W TO268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXBOD2-13

IXBOD2-13

Popis: BREAKOVER DIODE

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXBT12N300

IXBT12N300

Popis: IGBT 3000V 30A 160W TO268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXBT20N360HV

IXBT20N360HV

Popis: IGBT 3600V 70A TO-268HV

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXBR42N170

IXBR42N170

Popis: IGBT 1700V 57A 200W ISOPLUS247

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXBT20N300HV

IXBT20N300HV

Popis: IGBT 3000V 50A 250W TO268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXBT32N300HV

IXBT32N300HV

Popis: IGBT 3000V 80A 400W TO268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXBOD2-56R

IXBOD2-56R

Popis: THYRISTOR RADIAL

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXBOD2-11

IXBOD2-11

Popis: BREAKOVER DIODE

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXBT24N170

IXBT24N170

Popis: IGBT 1700V 60A 250W TO268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXBOD2-50R

IXBOD2-50R

Popis: THYRISTOR RADIAL

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXBOD2-15R

IXBOD2-15R

Popis: THYRISTOR RADIAL

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXBP5N160G

IXBP5N160G

Popis: IGBT 1600V 5.7A 68W TO220AB

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXBOD2-12

IXBOD2-12

Popis: BREAKOVER DIODE

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXBT16N170AHV

IXBT16N170AHV

Popis: IGBT

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXBT2N250

IXBT2N250

Popis: IGBT 2500V 5A 32W TO268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXBT16N170A

IXBT16N170A

Popis: IGBT 1700V 16A 150W TO268

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.