Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

*Jméno společnosti
*Jméno
*Titul

*Emailová adresa
*Telefonní číslo

*Země
*Kontaktní okno
*Datum události

*Zpráva

Pro návštěvníky na Electronica 2024

Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.

domů > produkty > Integrované obvody (IC) > Paměť > 70V3579S5BFI

RFQs/Objednávka (0)

Čeština

Čeština

5917006

70V3579S5BFI Image.

IDT (Integrated Device Technology)

70V3579S5BFI

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě

14+

$75.749

Online poptávka

Specifikace

Part Number

70V3579S5BFI
Výrobce / značka

IDT (Renesas Electronics Corporation)
Množství zásob

Na skladě
Popis

IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA
Stav volného vedení / RoHS

Obsahuje olověný / RoHS neodpovídající
Datasheety

1.70V3579S5BFI.pdf
2.70V3579S5BFI.pdf
Napište čas cyklu - slovo,

-
Napětí - Supply

3.15 V ~ 3.45 V
Technika

SRAM - Dual Port, Synchronous
Dodavatel zařízení Package

208-CABGA (15x15)
Série

-
Obal

Tray
Paket / krabice

208-LFBGA
Ostatní jména

IDT70V3579S5BFI
IDT70V3579S5BFI-ND
Provozní teplota

-40°C ~ 85°C (TA)
Typ montáže

Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)

3 (168 Hours)
Typ paměti

Volatile
Velikost paměti

1.125Mb (32K x 36)
Paměťové rozhraní

Parallel
Formát paměti

SRAM
Výrobní standardní doba výroby

10 Weeks
Stav volného vedení / RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Detailní popis

SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 1.125Mb (32K x 36) Parallel 5ns 208-CABGA (15x15)
Číslo základní části

IDT70V3579
přístupová doba

5ns

Související zprávy
Lodní doprava
Platba

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

Lodní doprava

Způsob platby

Následuje produkty související s „70V3579S5BFI“.

70V3579S4BFG

70V3579S4BFG

Popis: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Výrobci: IDT (Integrated Device Technology)

Na skladě

70V3579S5BF

Popis: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Výrobci: IDT (Integrated Device Technology)

Na skladě

70V3579S5BCGI

Popis: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Výrobci: IDT (Integrated Device Technology)

Na skladě

70V3579S5BCI

Popis: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Výrobci: IDT (Integrated Device Technology)

Na skladě

70V3579S6BC8

Popis: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Výrobci: IDT (Integrated Device Technology)

Na skladě

70V3579S4DRG

70V3579S4DRG

Popis: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP

Výrobci: IDT (Integrated Device Technology)

Na skladě

70V3579S5DRI

Popis: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP

Výrobci: IDT (Integrated Device Technology)

Na skladě

70V3579S5BC

Popis: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Výrobci: IDT (Integrated Device Technology)

Na skladě

70V3579S6BCI8

70V3579S6BCI8

Popis: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Výrobci: IDT (Integrated Device Technology)

Na skladě

70V3579S5BFI8

Popis: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Výrobci: IDT (Integrated Device Technology)

Na skladě

70V3579S5DR

Popis: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP

Výrobci: IDT (Integrated Device Technology)

Na skladě

70V3579S6BF

Popis: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Výrobci: IDT (Integrated Device Technology)

Na skladě

70V3579S5BF8

Popis: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Výrobci: IDT (Integrated Device Technology)

Na skladě

70V3579S5BCI8

Popis: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Výrobci: IDT (Integrated Device Technology)

Na skladě

70V3579S6BF8

Popis: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Výrobci: IDT (Integrated Device Technology)

Na skladě

70V3579S5BC8

Popis: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Výrobci: IDT (Integrated Device Technology)

Na skladě

70V3579S4DR

Popis: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP

Výrobci: IDT (Integrated Device Technology)

Na skladě

70V3579S6BCI

70V3579S6BCI

Popis: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Výrobci: IDT (Integrated Device Technology)

Na skladě

70V3579S6BC

Popis: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Výrobci: IDT (Integrated Device Technology)

Na skladě

70V3579S6DR

Popis: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP

Výrobci: IDT (Integrated Device Technology)

Na skladě

Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.

Následuj nás

Všeobecné obchodní podmínky Politika porušení Požádat o nabídku O nás Kontaktujte nás Mapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.