Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > GP2M020A050F
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
3719305GP2M020A050F Image.Global Power Technologies Group

GP2M020A050F

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    GP2M020A050F
  • Výrobce / značka
    SemiQ
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 500V 18A TO220F
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    GP2M020A050F.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    TO-220F
  • Série
    -
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    300 mOhm @ 9A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    48W (Tc)
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    TO-220-3 Full Pack
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Through Hole
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    2880pF @ 25V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    44nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    500V
  • Detailní popis
    N-Channel 500V 18A (Tc) 48W (Tc) Through Hole TO-220F
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    18A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip oznamuje 500 propouštění, s restrukturalizačn...

2024/12/4

Quanta: Poptávka AI je i nadále silná, se stálým proud...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung výrazně snižuje využití fotorezistů ve 3D vý...

2024/12/2

Vishay investuje 51 milionů GBP do získané NWF Wafer Fab

2024/11/29

Trumpova tarifní hrozba, Nvidia, dodavatelé Intel Reasses...

2024/11/28

Intel obdrží 7,86 miliardy dolarů na dotace podle americ...

2024/11/27

AMD zahajuje výstavbu druhé fáze Design Center Bangalore

2024/11/26
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „GP2M020A050F“.
GP2S24

GP2S24

Popis: PHOTOINTERRUPTER REFLEC .8MM DIP

Výrobci: Sharp Microelectronics
Na skladě
RFQ
GP2M020A050N

GP2M020A050N

Popis: MOSFET N-CH 500V 20A TO3PN

Výrobci: Global Power Technologies Group
Na skladě
RFQ
GP2M010A065H

GP2M010A065H

Popis: MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220

Výrobci: Global Power Technologies Group
Na skladě
RFQ
GP2M013A050F

GP2M013A050F

Popis: MOSFET N-CH 500V 13A TO220F

Výrobci: Global Power Technologies Group
Na skladě
RFQ
GP2M012A060F

GP2M012A060F

Popis: MOSFET N-CH 600V 12A TO220F

Výrobci: Global Power Technologies Group
Na skladě
RFQ
GP2S24J0000F

GP2S24J0000F

Popis: PHOTOINTERRUPTER TRANS OUT 4X3

Výrobci: Sharp Microelectronics
Na skladě
RFQ
GP2S24ABJ00F

GP2S24ABJ00F

Popis: PHOTOINTERRUPTER REFLEC .8MM PCB

Výrobci: Sharp Microelectronics
Na skladě
RFQ
GP2S24BCJ00F

GP2S24BCJ00F

Popis: PHOTOINTERRUPTER TRANS OUT 4X3

Výrobci: Sharp Microelectronics
Na skladě
RFQ
GP2M010A065F

GP2M010A065F

Popis: MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220F

Výrobci: Global Power Technologies Group
Na skladě
RFQ
GP2S24BJ000F

GP2S24BJ000F

Popis: PHOTOINTERRUPTER REFL 0.7MM PCB

Výrobci: Sharp Microelectronics
Na skladě
RFQ
GP2M012A060H

GP2M012A060H

Popis: MOSFET N-CH 600V 12A TO220

Výrobci: Global Power Technologies Group
Na skladě
RFQ
GP2S24CJ000F

GP2S24CJ000F

Popis: PHOTOINTERRUPTER REFL 0.7MM PCB

Výrobci: Sharp Microelectronics
Na skladě
RFQ
GP2M011A090NG

GP2M011A090NG

Popis: MOSFET N-CH 900V 11A TO3PN

Výrobci: Global Power Technologies Group
Na skladě
RFQ
GP2M023A050N

GP2M023A050N

Popis: MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN

Výrobci: Global Power Technologies Group
Na skladě
RFQ
GP2M010A060H

GP2M010A060H

Popis: MOSFET N-CH 600V 10A TO220

Výrobci: Global Power Technologies Group
Na skladě
RFQ
GP2M020A060N

GP2M020A060N

Popis: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN

Výrobci: Global Power Technologies Group
Na skladě
RFQ
GP2M009A090NG

GP2M009A090NG

Popis: MOSFET N-CH 900V 9A TO3PN

Výrobci: Global Power Technologies Group
Na skladě
RFQ
GP2M020A050H

GP2M020A050H

Popis: MOSFET N-CH 500V 18A TO220

Výrobci: Global Power Technologies Group
Na skladě
RFQ
GP2M010A060F

GP2M010A060F

Popis: MOSFET N-CH 600V 10A TO220F

Výrobci: Global Power Technologies Group
Na skladě
RFQ
GP2M012A080NG

GP2M012A080NG

Popis: MOSFET N-CH 800V 12A TO3PN

Výrobci: Global Power Technologies Group
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.