Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Diody - usměrňovače - pole > MBR600200CTR
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
5163111MBR600200CTR Image.GeneSiC Semiconductor

MBR600200CTR

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
25+
$80.865
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    MBR600200CTR
  • Výrobce / značka
    GeneSiC Semiconductor
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    MBR600200CTR.pdf
  • Napětí - Forward (VF) (Max) @-li
    920mV @ 300A
  • Napětí - DC Reverse (Vr) (Max)
    200V
  • Dodavatel zařízení Package
    Twin Tower
  • Rychlost
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Série
    -
  • Obal
    Bulk
  • Paket / krabice
    Twin Tower
  • Provozní teplota - spojení
    -55°C ~ 150°C
  • Typ montáže
    Chassis Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    4 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode Type
    Schottky
  • Konfigurace dioda
    1 Pair Common Anode
  • Detailní popis
    Diode Array 1 Pair Common Anode Schottky 200V 300A Chassis Mount Twin Tower
  • Proud - zpìtný únikový @ Vr
    3mA @ 200V
  • Proud - Průměrná Rektifikova (Io) (za Diode)
    300A

Antropic obdrží od Amazonu další investici 4 miliardy d...

2024/11/23

Semi: IC zvýšení prodeje o 12% ve čtvrtletí, oček...

2024/11/22

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „MBR600200CTR“.
MBR600100CTR

MBR600100CTR

Popis: DIODE MODULE 100V 300A 2TOWER

Výrobci: GeneSiC Semiconductor
Na skladě
RFQ
MBR60020CTL

MBR60020CTL

Popis: DIODE SCHOTTKY 20V 300A 2 TOWER

Výrobci: GeneSiC Semiconductor
Na skladě
RFQ
MBR5H150VPC-E1

MBR5H150VPC-E1

Popis: DIODE SCHOTTKY 150V 5A DO27

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
MBR600200CT

MBR600200CT

Popis: DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER

Výrobci: GeneSiC Semiconductor
Na skladě
RFQ
MBR600150CTR

MBR600150CTR

Popis: DIODE SCHOTTKY 150V 300A 2 TOWER

Výrobci: GeneSiC Semiconductor
Na skladě
RFQ
MBR60035CT

MBR60035CT

Popis: DIODE MODULE 35V 300A 2TOWER

Výrobci: GeneSiC Semiconductor
Na skladě
RFQ
MBR600150CT

MBR600150CT

Popis: DIODE SCHOTTKY 150V 300A 2 TOWER

Výrobci: GeneSiC Semiconductor
Na skladě
RFQ
MBR60020CT

MBR60020CT

Popis: DIODE MODULE 20V 300A 2TOWER

Výrobci: GeneSiC Semiconductor
Na skladě
RFQ
MBR5H150VPB-E1

MBR5H150VPB-E1

Popis: DIODE SCHOTTKY 150V 5A DO27

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
MBR60020CTR

MBR60020CTR

Popis: DIODE MODULE 20V 300A 2TOWER

Výrobci: GeneSiC Semiconductor
Na skladě
RFQ
MBR60030CTRL

MBR60030CTRL

Popis: DIODE SCHOTTKY 30V 300A 2 TOWER

Výrobci: GeneSiC Semiconductor
Na skladě
RFQ
MBR60020CTRL

MBR60020CTRL

Popis: DIODE SCHOTTKY 20V 300A 2 TOWER

Výrobci: GeneSiC Semiconductor
Na skladě
RFQ
MBR5H150VPTR-G1

MBR5H150VPTR-G1

Popis: DIODE SCHOTTKY 150V 5A DO27

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
MBR5H150VPB-G1

MBR5H150VPB-G1

Popis: DIODE SCHOTTKY 150V 5A DO27

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
MBR60035CTL

MBR60035CTL

Popis: DIODE SCHOTTKY 35V 300A 2 TOWER

Výrobci: GeneSiC Semiconductor
Na skladě
RFQ
MBR60030CT

MBR60030CT

Popis: DIODE MODULE 30V 300A 2TOWER

Výrobci: GeneSiC Semiconductor
Na skladě
RFQ
MBR5H150VPTR-E1

MBR5H150VPTR-E1

Popis: DIODE SCHOTTKY 150V 5A DO27

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
MBR600100CT

MBR600100CT

Popis: DIODE MODULE 100V 300A 2TOWER

Výrobci: GeneSiC Semiconductor
Na skladě
RFQ
MBR60030CTR

MBR60030CTR

Popis: DIODE MODULE 30V 300A 2TOWER

Výrobci: GeneSiC Semiconductor
Na skladě
RFQ
MBR60030CTL

MBR60030CTL

Popis: DIODE SCHOTTKY 30V 300A 2 TOWER

Výrobci: GeneSiC Semiconductor
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.