Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Diody - můstkové usměrňovače > KBJ2508G
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
2847867

KBJ2508G

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1500+
$1.331
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    KBJ2508G
  • Výrobce / značka
    GeneSiC Semiconductor
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    DIODE BRIDGE 800V 25A KBJ
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    1.KBJ2508G.pdf
    2.KBJ2508G.pdf
  • Napětí - Peak Reverse (Max)
    800V
  • Napětí - Forward (VF) (Max) @-li
    1.05V @ 12.5A
  • Technika
    Standard
  • Dodavatel zařízení Package
    KBJ
  • Série
    -
  • Obal
    Bulk
  • Paket / krabice
    4-SIP, KBJ
  • Ostatní jména
    KBJ2508GGN
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 125°C (TJ)
  • Typ montáže
    Through Hole
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    4 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode Type
    Single Phase
  • Detailní popis
    Bridge Rectifier Single Phase Standard 800V Through Hole KBJ
  • Proud - zpìtný únikový @ Vr
    10µA @ 800V
  • Proud - Průměrná Rektifikova (Io)
    25A

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „KBJ2508G“.
KBJ406G

KBJ406G

Popis: RECT BRIDGE GPP 4A 600V KBJ

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
KBJ2506G

KBJ2506G

Popis: DIODE BRIDGE 600V 25A KBJ

Výrobci: GeneSiC Semiconductor
Na skladě
RFQ
KBJ410G

KBJ410G

Popis: DIODE BRIDGE 1000V 4A KBJ

Výrobci: GeneSiC Semiconductor
Na skladě
RFQ
KBJ4005G

KBJ4005G

Popis: RECT BRIDGE GPP 4A 50V KBJ

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
KBJ408G

KBJ408G

Popis: DIODE BRIDGE 800V 4A KBJ

Výrobci: GeneSiC Semiconductor
Na skladě
RFQ
KBJ404G

KBJ404G

Popis: DIODE BRIDGE 400V 4A KBJ

Výrobci: GeneSiC Semiconductor
Na skladě
RFQ
KBJ2504G

KBJ2504G

Popis: DIODE BRIDGE 400V 25A KBJ

Výrobci: GeneSiC Semiconductor
Na skladě
RFQ
KBJ402G

KBJ402G

Popis: RECT BRIDGE GPP 4A 200V KBJ

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
KBJ4005G

KBJ4005G

Popis: DIODE BRIDGE 50V 4A KBJ

Výrobci: GeneSiC Semiconductor
Na skladě
RFQ
KBJ401G

KBJ401G

Popis: DIODE BRIDGE 100V 4A KBJ

Výrobci: GeneSiC Semiconductor
Na skladě
RFQ
KBJ402G

KBJ402G

Popis: DIODE BRIDGE 200V 4A KBJ

Výrobci: GeneSiC Semiconductor
Na skladě
RFQ
KBJ2510G

KBJ2510G

Popis: DIODE BRIDGE 1000V 25A KBJ

Výrobci: GeneSiC Semiconductor
Na skladě
RFQ
KBJ408G

KBJ408G

Popis: RECT BRIDGE GPP 4A 800V KBJ

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
KBJ1010G-BP

KBJ1010G-BP

Popis: BRIDGE RECT 1PHASE 1000V 10A KBJ

Výrobci: Micro Commercial Components (MCC)
Na skladě
RFQ
KBJ406G

KBJ406G

Popis: DIODE BRIDGE 600V 4A KBJ

Výrobci: GeneSiC Semiconductor
Na skladě
RFQ
KBJ2502G

KBJ2502G

Popis: DIODE BRIDGE 200V 25A KBJ

Výrobci: GeneSiC Semiconductor
Na skladě
RFQ
KBJ2501G

KBJ2501G

Popis: DIODE BRIDGE 100V 25A KBJ

Výrobci: GeneSiC Semiconductor
Na skladě
RFQ
KBJ404G

KBJ404G

Popis: RECT BRIDGE GPP 4A 400V KBJ

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
KBJ401G

KBJ401G

Popis: RECTIFIER BRIDGE GPP 100V 4A KBJ

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
KBJ25005G

KBJ25005G

Popis: DIODE BRIDGE 50V 25A KBJ

Výrobci: GeneSiC Semiconductor
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.