Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Diody - Usměrňovače - Jednoduché > GAP05SLT80-220
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
3559811GAP05SLT80-220 Image.GeneSiC Semiconductor

GAP05SLT80-220

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
10+
$295.486
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    GAP05SLT80-220
  • Výrobce / značka
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    DIODE SCHOTTKY 8KV 50MA AXIAL
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
  • Napětí - Peak Reverse (Max)
    Silicon Carbide Schottky
  • Napětí - Forward (VF) (Max) @-li
    50mA (DC)
  • Napětí - Rozdělení
    -
  • Série
    -
  • Stav RoHS
    Tube
  • Reverse Time Recovery (TRR)
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Odpor při IF, F
    25pF @ 1V, 1MHz
  • Polarizace
    Axial
  • Ostatní jména
    1242-1257
  • Provozní teplota - spojení
    0ns
  • Typ montáže
    Through Hole
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    18 Weeks
  • Výrobní číslo výrobce
    GAP05SLT80-220
  • Rozšířený popis
    Diode Silicon Carbide Schottky 8000V (8kV) 50mA (DC) Through Hole
  • Konfigurace dioda
    3.8µA @ 8000V
  • Popis
    DIODE SCHOTTKY 8KV 50MA AXIAL
  • Proud - zpìtný únikový @ Vr
    4.6V @ 50mA
  • Proud - Průměrná Rektifikova (Io) (za Diode)
    8000V (8kV)
  • Kapacitní @ Vr, F
    -55°C ~ 175°C
SRAS2060HMNG

SRAS2060HMNG

Popis: DIODE SCHOTTKY 60V 20A TO263AB

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
GAP185

GAP185

Popis: FRONT SAFETY COVER CC185-800

Výrobci: Carlo Gavazzi
Na skladě
MUR8100E

MUR8100E

Popis: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO220AC

Výrobci: Fairchild/ON Semiconductor
Na skladě
MBR40250T

MBR40250T

Popis: DIODE SCHOTTKY 250V 40A TO220AB

Výrobci: ON Semiconductor
Na skladě
ESH2PC-E3/84A

ESH2PC-E3/84A

Popis: DIODE GEN PURP 150V 2A DO220AA

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RGP10KE-E3/54

RGP10KE-E3/54

Popis: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Výrobci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na skladě
GF1K

GF1K

Popis: DIODE GEN PURP 800V 1A SMA

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
SMD110PL-TP

SMD110PL-TP

Popis: DIODE SCHOTTKY 100V 1A SOD123FL

Výrobci: Micro Commercial Components (MCC)
Na skladě
ESH3D V6G

ESH3D V6G

Popis: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
ES1A

ES1A

Popis: DIODE GEN PURP 50V 1A SMA

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
S1JBHM4G

S1JBHM4G

Popis: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AA

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
RO 2CV1

RO 2CV1

Popis: DIODE GEN PURP 1KV 1.2A AXIAL

Výrobci: Sanken Electric Co., Ltd.
Na skladě
GAP3SLT33-220FP

GAP3SLT33-220FP

Popis: DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA TO220

Výrobci: GeneSiC Semiconductor
Na skladě
S2BTR

S2BTR

Popis: DIODE GEN PURP 100V 2A SMB

Výrobci: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
Na skladě
GAP9

GAP9

Popis: FRONT SAFETY COVER CC9-150

Výrobci: Carlo Gavazzi
Na skladě
GB05SLT12-220

GB05SLT12-220

Popis: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A TO220AC

Výrobci: GeneSiC Semiconductor
Na skladě
APD360VRTR-G1

APD360VRTR-G1

Popis: DIODE SCHOTTKY

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
GAP3SLT33-214

GAP3SLT33-214

Popis: DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA DO214

Výrobci: GeneSiC Semiconductor
Na skladě
SR1502 A0G

SR1502 A0G

Popis: DIODE SCHOTTKY 20V 15A R-6

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
HER153-AP

HER153-AP

Popis: DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO15

Výrobci: Micro Commercial Components (MCC)
Na skladě

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení