Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > GA10JT12-263
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
464355GA10JT12-263 Image.GeneSiC Semiconductor

GA10JT12-263

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$23.17
10+
$21.067
50+
$19.487
100+
$17.907
250+
$16.327
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    GA10JT12-263
  • Výrobce / značka
    GeneSiC Semiconductor
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    TRANS SJT 1200V 25A
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    GA10JT12-263.pdf
  • ECAD model
  • Vgs (th) (max) 'Id
    -
  • Vgs (Max)
    -
  • Technika
    SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Dodavatel zařízení Package
    -
  • Série
    -
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    120 mOhm @ 10A
  • Ztráta energie (Max)
    170W (Tc)
  • Obal
    Tube
  • Paket / krabice
    -
  • Ostatní jména
    1242-1186
    GA10JT12-220ISO
    GA10JT12220ISO
  • Provozní teplota
    175°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    18 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    1403pF @ 800V
  • Typ FET
    -
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    -
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    1200V
  • Detailní popis
    1200V 25A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    25A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip oznamuje 500 propouštění, s restrukturalizačn...

2024/12/4

Quanta: Poptávka AI je i nadále silná, se stálým proud...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung výrazně snižuje využití fotorezistů ve 3D vý...

2024/12/2

Vishay investuje 51 milionů GBP do získané NWF Wafer Fab

2024/11/29

Trumpova tarifní hrozba, Nvidia, dodavatelé Intel Reasses...

2024/11/28

Intel obdrží 7,86 miliardy dolarů na dotace podle americ...

2024/11/27
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „GA10JT12-263“.
GA10K3MBD1

GA10K3MBD1

Popis: THERMISTOR NTC 10KOHM 3976K BEAD

Výrobci: Agastat Relays / TE Connectivity
Na skladě
RFQ
GA10K3CG3

GA10K3CG3

Popis: THERMISTOR NTC 10KOHM 3976K LGA

Výrobci: Agastat Relays / TE Connectivity
Na skladě
RFQ
GA10K3A1IA

GA10K3A1IA

Popis: THERMISTOR NTC 10KOHM 3976K BEAD

Výrobci: Agastat Relays / TE Connectivity
Na skladě
RFQ
GA100SICP12-227

GA100SICP12-227

Popis: SIC CO-PACK SJT/RECT 100A 1.2KV

Výrobci: GeneSiC Semiconductor
Na skladě
RFQ
GA100K6A1A

GA100K6A1A

Popis: THERM NTC 100KOHM 4261K BEAD

Výrobci: Agastat Relays / TE Connectivity
Na skladě
RFQ
GA10K4A1A

GA10K4A1A

Popis: THERMISTOR NTC 10KOHM 3694K BEAD

Výrobci: Agastat Relays / TE Connectivity
Na skladě
RFQ
GA100SBJT12-FR4

GA100SBJT12-FR4

Popis: BOARD EVAL DBL PULSE

Výrobci: GeneSiC Semiconductor
Na skladě
RFQ
GA100K6A1B

GA100K6A1B

Popis: THERM NTC 100KOHM 4261K BEAD

Výrobci: Agastat Relays / TE Connectivity
Na skladě
RFQ
GA100SCPL12-227E

GA100SCPL12-227E

Popis: SIC PHASE LEG BRIDGE 100A 1.2KV

Výrobci: GeneSiC Semiconductor
Na skladě
RFQ
GA100K6MCD1

GA100K6MCD1

Popis: THERM NTC 100KOHM 4261K BEAD

Výrobci: Agastat Relays / TE Connectivity
Na skladě
RFQ
GA101

GA101

Popis: DIODE SCR PLANAR 60V TO-18

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
GA10K3A1A

GA10K3A1A

Popis: THERMISTOR NTC 10KOHM 3976K BEAD

Výrobci: Agastat Relays / TE Connectivity
Na skladě
RFQ
GA10JT12-247

GA10JT12-247

Popis: TRANS SJT 1.2KV 10A

Výrobci: GeneSiC Semiconductor
Na skladě
RFQ
GA10K3A1B

GA10K3A1B

Popis: THERMISTOR NTC 10KOHM 3976K BEAD

Výrobci: Agastat Relays / TE Connectivity
Na skladě
RFQ
GA10K3MRBD1

GA10K3MRBD1

Popis: THERMISTOR NTC 10KOHM 3976K BEAD

Výrobci: Agastat Relays / TE Connectivity
Na skladě
RFQ
GA100K6A1IA

GA100K6A1IA

Popis: THERM NTC 100KOHM 4261K BEAD

Výrobci: Agastat Relays / TE Connectivity
Na skladě
RFQ
GA10K3MCD1

GA10K3MCD1

Popis: THERMISTOR NTC 10KOHM 3976K BEAD

Výrobci: Agastat Relays / TE Connectivity
Na skladě
RFQ
GA100K6MBD1

GA100K6MBD1

Popis: THERM NTC 100KOHM 4261K BEAD

Výrobci: Agastat Relays / TE Connectivity
Na skladě
RFQ
GA10K3A1AM

GA10K3A1AM

Popis: THERMISTOR NTC 10KOHM 3976K BEAD

Výrobci: Agastat Relays / TE Connectivity
Na skladě
RFQ
GA10K3A1IB

GA10K3A1IB

Popis: THERMISTOR NTC 10KOHM 3976K BEAD

Výrobci: Agastat Relays / TE Connectivity
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násZprávyMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.