Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Diody - Usměrňovače - Jednoduché > 1N8032-GA
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
45299251N8032-GA Image.GeneSiC Semiconductor

1N8032-GA

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$192.57
10+
$183.27
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    1N8032-GA
  • Výrobce / značka
    GeneSiC Semiconductor
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    DIODE SCHOTTKY 650V 2.5A TO257
  • Stav volného vedení / RoHS
    Obsahuje olověný / RoHS neodpovídající
  • Datasheety
    1N8032-GA.pdf
  • Napětí - Forward (VF) (Max) @-li
    1.3V @ 2.5A
  • Napětí - DC Reverse (Vr) (Max)
    650V
  • Dodavatel zařízení Package
    TO-257
  • Rychlost
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Série
    -
  • Reverse Time Recovery (TRR)
    0ns
  • Obal
    Tube
  • Paket / krabice
    TO-257-3
  • Ostatní jména
    1242-1119
    1N8032GA
  • Provozní teplota - spojení
    -55°C ~ 250°C
  • Typ montáže
    Through Hole
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    18 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diode Type
    Silicon Carbide Schottky
  • Detailní popis
    Diode Silicon Carbide Schottky 650V 2.5A Through Hole TO-257
  • Proud - zpìtný únikový @ Vr
    5µA @ 650V
  • Proud - Průměrná Rektifikova (Io)
    2.5A
  • Kapacitní @ Vr, F
    274pF @ 1V, 1MHz
  • Číslo základní části
    1N8032

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „1N8032-GA“.
1N8035-GA

1N8035-GA

Popis: DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276

Výrobci: GeneSiC Semiconductor
Na skladě
RFQ
1N8033-GA

1N8033-GA

Popis: DIODE SCHOTTKY 650V 4.3A TO276

Výrobci: GeneSiC Semiconductor
Na skladě
RFQ
1N821-1

1N821-1

Popis: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
1N8182

1N8182

Popis: TVS DIODE 170V 294V A AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
1N821AUR

1N821AUR

Popis: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
1N8165US

1N8165US

Popis: TVS DIODE 33V 53.6V

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
1N8024-GA

1N8024-GA

Popis: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 750MA TO257

Výrobci: GeneSiC Semiconductor
Na skladě
RFQ
1N821AUR-1

1N821AUR-1

Popis: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
1N821A (DO35)

1N821A (DO35)

Popis: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
1N8030-GA

1N8030-GA

Popis: DIODE SCHOTTKY 650V 750MA TO257

Výrobci: GeneSiC Semiconductor
Na skladě
RFQ
1N821UR-1

1N821UR-1

Popis: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
1N8031-GA

1N8031-GA

Popis: DIODE SCHOTTKY 650V 1A TO276

Výrobci: GeneSiC Semiconductor
Na skladě
RFQ
1N821A, SEL. 1% VBR

1N821A, SEL. 1% VBR

Popis: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
1N8149

1N8149

Popis: TVS DIODE 6.8V 12.8V A AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
1N821A

1N821A

Popis: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
1N822

1N822

Popis: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
1N8026-GA

1N8026-GA

Popis: DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257

Výrobci: GeneSiC Semiconductor
Na skladě
RFQ
1N8028-GA

1N8028-GA

Popis: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 9.4A TO257

Výrobci: GeneSiC Semiconductor
Na skladě
RFQ
1N8034-GA

1N8034-GA

Popis: DIODE SCHOTTKY 650V 9.4A TO257

Výrobci: GeneSiC Semiconductor
Na skladě
RFQ
1N821

1N821

Popis: DIODE ZENER DO35

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.