Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > SUG80050E-GE3
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
5004344SUG80050E-GE3 Image.Electro-Films (EFI) / Vishay

SUG80050E-GE3

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$5.96
10+
$5.317
100+
$4.36
500+
$3.531
1000+
$2.978
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    SUG80050E-GE3
  • Výrobce / značka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 150V 100A TO247AC
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    SUG80050E-GE3.pdf
  • ECAD model
  • Vgs (th) (max) 'Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    TO-247AC
  • Série
    ThunderFET®
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    5.4 mOhm @ 20A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    500W (Tc)
  • Obal
    Tube
  • Paket / krabice
    TO-247-3
  • Ostatní jména
    SUG80050E-GE3CT
    SUG80050E-GE3CT-ND
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Typ montáže
    Through Hole
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    6250pF @ 75V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    165nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    7.5V, 10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    150V
  • Detailní popis
    N-Channel 150V 100A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-247AC
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    100A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip oznamuje 500 propouštění, s restrukturalizačn...

2024/12/4

Quanta: Poptávka AI je i nadále silná, se stálým proud...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung výrazně snižuje využití fotorezistů ve 3D vý...

2024/12/2

Vishay investuje 51 milionů GBP do získané NWF Wafer Fab

2024/11/29

Trumpova tarifní hrozba, Nvidia, dodavatelé Intel Reasses...

2024/11/28

Intel obdrží 7,86 miliardy dolarů na dotace podle americ...

2024/11/27
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „SUG80050E-GE3“.
DMP2066LSN-7

DMP2066LSN-7

Popis: MOSFET P-CH 20V 4.6A SC59-3

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
FDA79N15

FDA79N15

Popis: MOSFET N-CH 150V 79A TO-3P

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
FQI6N40CTU

FQI6N40CTU

Popis: MOSFET N-CH 400V 6A I2PAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
MMFT2N02ELT1

MMFT2N02ELT1

Popis: MOSFET N-CH 20V 1.6A SOT223

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
STP26NM60ND

STP26NM60ND

Popis: MOSFET N-CH 600V 21A TO220

Výrobci: STMicroelectronics
Na skladě
RFQ
TK12A60U(Q,M)

TK12A60U(Q,M)

Popis: MOSFET N-CH 600V 12A TO220SIS

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
SPW11N80C3FKSA1

SPW11N80C3FKSA1

Popis: MOSFET N-CH 800V 11A TO-247

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
SUG90090E-GE3

SUG90090E-GE3

Popis: MOSFET N-CH 200V 100A TO247AC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
DMP510DL-7

DMP510DL-7

Popis: MOSFET P-CH 50V 0.18A SOT23

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
FQU6P25TU

FQU6P25TU

Popis: MOSFET P-CH 250V 4.7A IPAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
SUGRU-003

SUGRU-003

Popis: MAKE EVERYTHING MAGNETIC-SUGRU

Výrobci: Pimoroni
Na skladě
RFQ
N0300P-T1B-AT

N0300P-T1B-AT

Popis: TRANSISTOR

Výrobci: Renesas Electronics America
Na skladě
RFQ
IRFR3707

IRFR3707

Popis: MOSFET N-CH 30V 61A DPAK

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
PSMN1R5-40ES,127

PSMN1R5-40ES,127

Popis: MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK

Výrobci: Nexperia
Na skladě
RFQ
STB24NM60N

STB24NM60N

Popis: MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK

Výrobci: STMicroelectronics
Na skladě
RFQ
SI5419DU-T1-GE3

SI5419DU-T1-GE3

Popis: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK CHIPFET

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
BSC12DN20NS3GATMA1

BSC12DN20NS3GATMA1

Popis: MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
SUGRU-002

SUGRU-002

Popis: SUGRU (8 PACK)

Výrobci: Pimoroni
Na skladě
RFQ
FDB8441

FDB8441

Popis: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
SUGRU-001

SUGRU-001

Popis: SUGRU (3 PACK)

Výrobci: Pimoroni
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násZprávyMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.