Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > SQD25N15-52_GE3
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
2279511SQD25N15-52_GE3 Image.Electro-Films (EFI) / Vishay

SQD25N15-52_GE3

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
2000+
$1.927
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    SQD25N15-52_GE3
  • Výrobce / značka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 150V 25A TO252
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    SQD25N15-52_GE3.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    TO-252, (D-Pak)
  • Série
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    52 mOhm @ 15A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    107W (Tc)
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Ostatní jména
    SQD25N15-52-GE3
    SQD25N15-52-GE3-ND
    SQD25N15-52_GE3-ND
    SQD25N15-52_GE3TR
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    2200pF @ 25V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    51nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    150V
  • Detailní popis
    N-Channel 150V 25A (Tc) 107W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    25A (Tc)

Antropic obdrží od Amazonu další investici 4 miliardy d...

2024/11/23

Semi: IC zvýšení prodeje o 12% ve čtvrtletí, oček...

2024/11/22

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „SQD25N15-52_GE3“.
SQD35N05-26L-GE3

SQD35N05-26L-GE3

Popis: MOSFET N-CH 55V 30A TO252

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SQD30N05-20L_GE3

SQD30N05-20L_GE3

Popis: MOSFET N-CH 55V 30A TO252

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SQD40N10-25_GE3

SQD40N10-25_GE3

Popis: MOSFET N-CH 100V 40A TO252

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SQD40131EL_GE3

SQD40131EL_GE3

Popis: MOSFET P-CHAN 40V D-S TO-252

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SQD23N06-31L_GE3

SQD23N06-31L_GE3

Popis: MOSFET N-CH 60V 23A TO252

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SQD40N06-25L-GE3

SQD40N06-25L-GE3

Popis: MOSFET N-CH 60V 30A TO252

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SQD19P06-60L_GE3

SQD19P06-60L_GE3

Popis: MOSFET P-CH 60V 20A TO252

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SQD40061EL_GE3

SQD40061EL_GE3

Popis: MOSFET P-CHAN 40V

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SQD40081EL_GE3

SQD40081EL_GE3

Popis: MOSFET P-CHAN 40V TO252

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SQD100N04-3M6L_GE3

SQD100N04-3M6L_GE3

Popis: MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SQD100N03-3M4_GE3

SQD100N03-3M4_GE3

Popis: MOSFET N-CH 30V 100A TO252AA

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SQD40N06-14L_GE3

SQD40N06-14L_GE3

Popis: MOSFET N-CH 60V 40A

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SQD25N06-22L_T4GE3

SQD25N06-22L_T4GE3

Popis: MOSFET N-CH 60V 25A TO252AA

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SQD10N30-330H_GE3

SQD10N30-330H_GE3

Popis: MOSFET N-CH 300V 10A TO252AA

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SQD15N06-42L_GE3

SQD15N06-42L_GE3

Popis: MOSFET N-CH 60V 15A

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SQD25N06-22L_GE3

SQD25N06-22L_GE3

Popis: MOSFET N-CH 60V 25A TO252

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SQD19P06-60L_T4GE3

SQD19P06-60L_T4GE3

Popis: MOSFET P-CH 60V 20A TO252AA

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SQD40030E_GE3

SQD40030E_GE3

Popis: MOSFET N-CHANNEL 40V TO252AA

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SQD40031EL_GE3

SQD40031EL_GE3

Popis: MOSFET P-CHAN 30V

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SQD100N04-3M6_GE3

SQD100N04-3M6_GE3

Popis: MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.