Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FET, MOSFETy - Pole > SIS903DN-T1-GE3
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
445289SIS903DN-T1-GE3 Image.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIS903DN-T1-GE3

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$1.18
10+
$1.041
100+
$0.823
500+
$0.638
1000+
$0.504
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    SIS903DN-T1-GE3
  • Výrobce / značka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    SIS903DN-T1-GE3.pdf
  • ECAD model
  • Vgs (th) (max) 'Id
    1V @ 250µA
  • Dodavatel zařízení Package
    PowerPAK® 1212-8 Dual
  • Série
    TrenchFET® Gen III
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    20.1 mOhm @ 5A, 4.5V
  • Power - Max
    2.6W (Ta), 23W (Tc)
  • Obal
    Cut Tape (CT)
  • Paket / krabice
    PowerPAK® 1212-8 Dual
  • Ostatní jména
    SIS903DN-T1-GE3CT
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    2565pF @ 10V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    42nC @ 10V
  • Typ FET
    2 P-Channel (Dual)
  • FET Feature
    Standard
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    20V
  • Detailní popis
    Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 6A (Tc) 2.6W (Ta), 23W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    6A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip oznamuje 500 propouštění, s restrukturalizačn...

2024/12/4

Quanta: Poptávka AI je i nadále silná, se stálým proud...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung výrazně snižuje využití fotorezistů ve 3D vý...

2024/12/2

Vishay investuje 51 milionů GBP do získané NWF Wafer Fab

2024/11/29

Trumpova tarifní hrozba, Nvidia, dodavatelé Intel Reasses...

2024/11/28

Intel obdrží 7,86 miliardy dolarů na dotace podle americ...

2024/11/27
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „SIS903DN-T1-GE3“.
SIS990DN-T1-GE3

SIS990DN-T1-GE3

Popis: MOSFET 2N-CH 100V 12.1A 1212-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIS892DN-T1-GE3

SIS892DN-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8 PPAK

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIS902DN-T1-GE3

SIS902DN-T1-GE3

Popis: MOSFET 2N-CH 75V 4A PPAK 1212-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIS888DN-T1-GE3

SIS888DN-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 150V 20.2A 1212-8S

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIS890DN-T1-GE3

SIS890DN-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SISA16DN-T1-GE3

SISA16DN-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 30V D-S PPAK 1212-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIS778DN-T1-GE3

SIS778DN-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 30V 35A POWERPAK1212

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SISA18DN-T1-GE3

SISA18DN-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIS932EDN-T1-GE3

SIS932EDN-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH DL 30V PWRPAK 1212-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIS862DN-T1-GE3

SIS862DN-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 60V 40A 1212

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SISA12ADN-T1-GE3

SISA12ADN-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 30V 25A 1212-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIS782DN-T1-GE3

SIS782DN-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 30V 16A POWERPAK1212

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SISA01DN-T1-GE3

SISA01DN-T1-GE3

Popis: MOSFET P-CH 30V POWERPAK 1212-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIS780DN-T1-GE3

SIS780DN-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 30V 18A POWERPAK1212

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SISA04DN-T1-GE3

SISA04DN-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 30V 40A 1212-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SISA14DN-T1-GE3

SISA14DN-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIS892ADN-T1-GE3

SIS892ADN-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 100V 28A PPAK 1212

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIS822DNT-T1-GE3

SIS822DNT-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 30V 12A POWERPAK1212

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SISA10DN-T1-GE3

SISA10DN-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 30V 30A 1212-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SISA18ADN-T1-GE3

SISA18ADN-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násZprávyMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.