Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > SIRC10DP-T1-GE3
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
6064435SIRC10DP-T1-GE3 Image.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIRC10DP-T1-GE3

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$1.05
10+
$0.927
100+
$0.733
500+
$0.568
1000+
$0.449
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    SIRC10DP-T1-GE3
  • Výrobce / značka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    SIRC10DP-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    2.4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    +20V, -16V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    PowerPAK® SO-8
  • Série
    TrenchFET® Gen IV
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    3.5 mOhm @ 10A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    43W (Tc)
  • Obal
    Cut Tape (CT)
  • Paket / krabice
    PowerPAK® SO-8
  • Ostatní jména
    SIRC10DP-T1-GE3CT
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    32 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    1873pF @ 15V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    36nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    Schottky Diode (Isolated)
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    4.5V, 10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    30V
  • Detailní popis
    N-Channel 30V 60A (Tc) 43W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    60A (Tc)

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „SIRC10DP-T1-GE3“.
SIRA88DP-T1-GE3

SIRA88DP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 30V 45.5A POWERPAKSO

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIRA62DP-T1-RE3

SIRA62DP-T1-RE3

Popis: MOSFET N-CHAN 30V

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIRC18DP-T1-GE3

SIRC18DP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIRA90DP-T1-RE3

SIRA90DP-T1-RE3

Popis: MOSFET N-CH 30V 100A POWERPAKSO

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIRA72DP-T1-GE3

SIRA72DP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIRA84DP-T1-GE3

SIRA84DP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIRA58DP-T1-GE3

SIRA58DP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIRA60DP-T1-RE3

SIRA60DP-T1-RE3

Popis: MOSFET N-CH 30V 100A POWERPAKSO

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIRA58ADP-T1-RE3

SIRA58ADP-T1-RE3

Popis: MOSFET N-CH 40V

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIRC16DP-T1-GE3

SIRC16DP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIRA90DP-T1-GE3

SIRA90DP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 30V 100A POWERPAKSO

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIRA66DP-T1-GE3

SIRA66DP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 30V 50A POWERPAKSO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIRC04DP-T1-GE3

SIRC04DP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIRA96DP-T1-GE3

SIRA96DP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 30V 16A POWERPAKSO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIRA64DP-T1-RE3

SIRA64DP-T1-RE3

Popis: MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIRB40DP-T1-GE3

SIRB40DP-T1-GE3

Popis: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIRA64DP-T1-GE3

SIRA64DP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIRA80DP-T1-RE3

SIRA80DP-T1-RE3

Popis: MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIRC06DP-T1-GE3

SIRC06DP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 30V

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIRA60DP-T1-GE3

SIRA60DP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 30V 100A POWERPAKSO

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.