Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > SIRA50ADP-T1-RE3
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
5696738SIRA50ADP-T1-RE3 Image.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIRA50ADP-T1-RE3

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
3000+
$0.796
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    SIRA50ADP-T1-RE3
  • Výrobce / značka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CHAN 40V PPAK SO-8
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    SIRA50ADP-T1-RE3.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    2.2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    +20V, -16V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    PowerPAK® SO-8
  • Série
    TrenchFET® Gen IV
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    1.04 mOhm @ 20A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    6.25W (Ta), 100W (Tc)
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    PowerPAK® SO-8
  • Ostatní jména
    SIRA50ADP-T1-RE3TR
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    7300pF @ 20V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    150nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    4.5V, 10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    40V
  • Detailní popis
    N-Channel 40V 54.8A (Ta), 219A (Tc) 6.25W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    54.8A (Ta), 219A (Tc)

AMD zahajuje výstavbu druhé fáze Design Center Bangalore

2024/11/26

Grafická karta NVIDIA RTX 5090 má oblast GPU 744 mm ², c...

2024/11/25

Antropic obdrží od Amazonu další investici 4 miliardy d...

2024/11/23

Semi: IC zvýšení prodeje o 12% ve čtvrtletí, oček...

2024/11/22

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „SIRA50ADP-T1-RE3“.
SIRA36DP-T1-GE3

SIRA36DP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIRA18DP-T1-RE3

SIRA18DP-T1-RE3

Popis: MOSFET N-CH 30V 33A POWERPAKSO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIRA58DP-T1-GE3

SIRA58DP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIRA52DP-T1-GE3

SIRA52DP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIRA20DP-T1-RE3

SIRA20DP-T1-RE3

Popis: MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIRA32DP-T1-RE3

SIRA32DP-T1-RE3

Popis: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIRA52ADP-T1-RE3

SIRA52ADP-T1-RE3

Popis: MOSFET N-CHAN 40V PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIRA58ADP-T1-RE3

SIRA58ADP-T1-RE3

Popis: MOSFET N-CH 40V

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIRA60DP-T1-RE3

SIRA60DP-T1-RE3

Popis: MOSFET N-CH 30V 100A POWERPAKSO

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIRA54DP-T1-GE3

SIRA54DP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIRA22DP-T1-RE3

SIRA22DP-T1-RE3

Popis: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIRA34DP-T1-GE3

SIRA34DP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIRA52DP-T1-RE3

SIRA52DP-T1-RE3

Popis: MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIRA50DP-T1-RE3

SIRA50DP-T1-RE3

Popis: MOSFET N-CH 40V PWRPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIRA24DP-T1-GE3

SIRA24DP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIRA18ADP-T1-GE3

SIRA18ADP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 30V 30.6A POWERPAKSO

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIRA18DP-T1-GE3

SIRA18DP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 30V 33A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIRA60DP-T1-GE3

SIRA60DP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 30V 100A POWERPAKSO

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIRA62DP-T1-RE3

SIRA62DP-T1-RE3

Popis: MOSFET N-CHAN 30V

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIRA26DP-T1-RE3

SIRA26DP-T1-RE3

Popis: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.