Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > SIR892DP-T1-GE3
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
4766891SIR892DP-T1-GE3 Image.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIR892DP-T1-GE3

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
3000+
$1.413
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    SIR892DP-T1-GE3
  • Výrobce / značka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    SIR892DP-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    2.6V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    PowerPAK® SO-8
  • Série
    TrenchFET®
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    3.2 mOhm @ 10A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    5W (Ta), 50W (Tc)
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    PowerPAK® SO-8
  • Ostatní jména
    SIR892DP-T1-GE3TR
    SIR892DPT1GE3
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    2645pF @ 10V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    60nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    4.5V, 10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    25V
  • Detailní popis
    N-Channel 25V 50A (Tc) 5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    50A (Tc)

Antropic obdrží od Amazonu další investici 4 miliardy d...

2024/11/23

Semi: IC zvýšení prodeje o 12% ve čtvrtletí, oček...

2024/11/22

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „SIR892DP-T1-GE3“.
SIR888DP-T1-GE3

SIR888DP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIRA01DP-T1-GE3

SIRA01DP-T1-GE3

Popis: MOSFET P-CH 30V POWERPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIRA00DP-T1-RE3

SIRA00DP-T1-RE3

Popis: MOSFET N-CH 30V 100A POWERPAKSO

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIR876DP-T1-GE3

SIR876DP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIRA10DP-T1-GE3

SIRA10DP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIRA04DP-T1-GE3

SIRA04DP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIR882DP-T1-GE3

SIR882DP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIR928-6C-F

SIR928-6C-F

Popis: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL

Výrobci: Everlight Electronics
Na skladě
RFQ
SIR890DP-T1-GE3

SIR890DP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIR882ADP-T1-GE3

SIR882ADP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIRA06DP-T1-GE3

SIRA06DP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIRA10BDP-T1-GE3

SIRA10BDP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CHAN 30V

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIR878DP-T1-GE3

SIR878DP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIR878BDP-T1-RE3

SIR878BDP-T1-RE3

Popis: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIRA00DP-T1-GE3

SIRA00DP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIR880DP-T1-GE3

SIR880DP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIR878ADP-T1-GE3

SIR878ADP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIRA02DP-T1-GE3

SIRA02DP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIRA12BDP-T1-GE3

SIRA12BDP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CHAN 30V

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIR880ADP-T1-GE3

SIR880ADP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.