Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

*Jméno společnosti
*Jméno
*Titul

*Emailová adresa
*Telefonní číslo

*Země
*Kontaktní okno
*Datum události

*Zpráva

Pro návštěvníky na Electronica 2024

Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.

domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > SIR104DP-T1-RE3

RFQs/Objednávka (0)

Čeština

Čeština

895251

SIR104DP-T1-RE3 Image.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SIR104DP-T1-RE3

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě

1+

$2.95

10+

$2.664

100+

$2.141

500+

$1.665

1000+

$1.38

Online poptávka

Specifikace

Part Number

SIR104DP-T1-RE3
Výrobce / značka

Electro-Films (EFI) / Vishay
Množství zásob

Na skladě
Popis

MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8
Stav volného vedení / RoHS

Bez olova / V souladu RoHS
Datasheety

SIR104DP-T1-RE3.pdf
Vgs (th) (max) 'Id

3.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technika

MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package

PowerPAK® SO-8
Série

TrenchFET® Gen IV
RDS On (Max) @ Id, Vgs

6.4 mOhm @ 15A, 10V
Ztráta energie (Max)

5.4W (Ta), 100W (Tc)
Obal

Original-Reel®
Paket / krabice

PowerPAK® SO-8
Ostatní jména

SIR104DP-T1-RE3DKR
Provozní teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže

Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)

1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby

32 Weeks
Stav volného vedení / RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

4230pF @ 50V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs

84nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET Feature

-
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)

7.5V, 10V
Drain na zdroj napětí (Vdss)

100V
Detailní popis

N-Channel 100V 18.3A (Ta), 79A (Tc) 5.4W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C

18.3A (Ta), 79A (Tc)

Související zprávy
Lodní doprava
Platba

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

Lodní doprava

Způsob platby

Následuje produkty související s „SIR104DP-T1-RE3“.

SIR-563ST3FN

Popis: EMITTER IR 940NM 100MA T 1 3/4

Výrobci: LAPIS Semiconductor

Na skladě

SIR140DP-T1-RE3

SIR140DP-T1-RE3

Popis: MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SIR158DP-T1-RE3

SIR158DP-T1-RE3

Popis: MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SIR158DP-T1-GE3

SIR158DP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SIR-56ST3FF

Popis: EMITTER IR 950NM 100MA T 1 3/4

Výrobci: LAPIS Semiconductor

Na skladě

SIR1-05-L-S-K-TR

SIR1-05-L-S-K-TR

Popis: ONE PIECE POWER RIGHT ANGLE ASSE

Výrobci: Samtec, Inc.

Na skladě

SIR-568ST3F

Popis: EMITTER IR 850NM 100MA T 1 3/4

Výrobci: LAPIS Semiconductor

Na skladě

SIR165DP-T1-GE3

SIR165DP-T1-GE3

Popis: MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SIR-34ST3F

Popis: EMITTER IR 950NM 100MA T-1

Výrobci: LAPIS Semiconductor

Na skladě

SIR-505STA47F

Popis: EMITTER IR 950NM 100MA T 1 3/4

Výrobci: LAPIS Semiconductor

Na skladě

SIR12-21C/TR8

Popis: EMITTER IR 875NM 65MA 1208

Výrobci: Everlight Electronics

Na skladě

SIR1-03-L-S-K-TR

SIR1-03-L-S-K-TR

Popis: ONE PIECE POWER RIGHT ANGLE ASSE

Výrobci: Samtec, Inc.

Na skladě

SIR-320ST3FF

Popis: EMITTER IR 940NM 75MA T-1

Výrobci: LAPIS Semiconductor

Na skladě

SIR108DP-T1-RE3

SIR108DP-T1-RE3

Popis: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SIR164DP-T1-RE3

SIR164DP-T1-RE3

Popis: MOSFET N-CH 30V 50A POWERPAKSO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SIR1-03-L-S

SIR1-03-L-S

Popis: ONE PIECE POWER RIGHT ANGLE ASSE

Výrobci: Samtec, Inc.

Na skladě

SIR164DP-T1-GE3

SIR164DP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

Výrobci: Vishay Siliconix

Na skladě

SIR-341ST3FF

Popis: EMITTER IR 940NM 75MA T-1

Výrobci: LAPIS Semiconductor

Na skladě

SIR112DP-T1-RE3

SIR112DP-T1-RE3

Popis: MOSFET N-CHAN 40V

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SIR106DP-T1-RE3

SIR106DP-T1-RE3

Popis: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.

Následuj nás

Všeobecné obchodní podmínky Politika porušení Požádat o nabídku O nás Kontaktujte nás Mapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.