Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > SIHU3N50D-GE3
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
5179655SIHU3N50D-GE3 Image.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIHU3N50D-GE3

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
3000+
$0.387
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    SIHU3N50D-GE3
  • Výrobce / značka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    1.SIHU3N50D-GE3.pdf
    2.SIHU3N50D-GE3.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    TO-251
  • Série
    -
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    3.2 Ohm @ 2.5A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    69W (Tc)
  • Obal
    Tube
  • Paket / krabice
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Through Hole
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    18 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    175pF @ 100V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    12nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    500V
  • Detailní popis
    N-Channel 500V 3A (Tc) 69W (Tc) Through Hole TO-251
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    3A (Tc)

Antropic obdrží od Amazonu další investici 4 miliardy d...

2024/11/23

Semi: IC zvýšení prodeje o 12% ve čtvrtletí, oček...

2024/11/22

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „SIHU3N50D-GE3“.
SIHU3N50D-E3

SIHU3N50D-E3

Popis: MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIHS36N50D-E3

SIHS36N50D-E3

Popis: MOSFET N-CH 500V 36A SUPER-247

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIHU5N50D-GE3

SIHU5N50D-GE3

Popis: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251 IPAK

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIHU6N80E-GE3

SIHU6N80E-GE3

Popis: MOSFET N-CHAN 800V TO-251

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIHU6N65E-GE3

SIHU6N65E-GE3

Popis: MOSFET N-CH 650V 6A IPAK

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIHS90N65E-E3

SIHS90N65E-E3

Popis: MOSFET N-CH 650V 87A SUPER247

Výrobci: Vishay Siliconix
Na skladě
RFQ
SIHP8N50D-E3

SIHP8N50D-E3

Popis: MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIHS20N50C-E3

SIHS20N50C-E3

Popis: MOSFET N-CH 500V 20A TO-247AD

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIHU7N60E-GE3

SIHU7N60E-GE3

Popis: MOSFET N-CH 600V 7A TO-251

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIHU7N60E-E3

SIHU7N60E-E3

Popis: MOSFET N-CH 600V 7A TO-251

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIHP7N60E-E3

SIHP7N60E-E3

Popis: MOSFET N-CH 600V 7A TO-220AB

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIHW23N60E-GE3

SIHW23N60E-GE3

Popis: MOSFET N-CH 600V 23A TO-247AD

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIHU6N62E-GE3

SIHU6N62E-GE3

Popis: MOSFET N-CH 620V 6A TO-251

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIHU2N80E-GE3

SIHU2N80E-GE3

Popis: MOSFET N-CH 800V 2.8A IPAK

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIHU5N50D-E3

SIHU5N50D-E3

Popis: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251 IPAK

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIHU4N80E-GE3

SIHU4N80E-GE3

Popis: MOSFET N-CHAN 800V TO-251

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIHU3N50DA-GE3

SIHU3N50DA-GE3

Popis: MOSFET N-CHANNEL 500V 3A IPAK

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIHS90N65E-E3

SIHS90N65E-E3

Popis: MOSFET N-CH 650V 87A SUPER247

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIHP8N50D-GE3

SIHP8N50D-GE3

Popis: MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIHP7N60E-GE3

SIHP7N60E-GE3

Popis: MOSFET N-CH 600V 7A TO-220AB

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.