Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

*Jméno společnosti
*Jméno
*Titul

*Emailová adresa
*Telefonní číslo

*Země
*Kontaktní okno
*Datum události

*Zpráva

Pro návštěvníky na Electronica 2024

Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.

domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > SIDR392DP-T1-GE3

RFQs/Objednávka (0)

Čeština

Čeština

2040596

SIDR392DP-T1-GE3 Image.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SIDR392DP-T1-GE3

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě

3000+

$1.362

Online poptávka

Specifikace

Part Number

SIDR392DP-T1-GE3
Výrobce / značka

Electro-Films (EFI) / Vishay
Množství zásob

Na skladě
Popis

MOSFET N-CHAN 30V
Stav volného vedení / RoHS

Bez olova / V souladu RoHS
Datasheety

1.SIDR392DP-T1-GE3.pdf
2.SIDR392DP-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (max) 'Id

2.2V @ 250µA
Vgs (Max)

+20V, -16V
Technika

MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package

PowerPAK® SO-8DC
Série

TrenchFET® Gen IV
RDS On (Max) @ Id, Vgs

0.62 mOhm @ 20A, 10V
Ztráta energie (Max)

6.25W (Ta), 125W (Tc)
Obal

Tape & Reel (TR)
Paket / krabice

PowerPAK® SO-8
Ostatní jména

SIDR392DP-T1-GE3TR
Provozní teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže

Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)

1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby

32 Weeks
Stav volného vedení / RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

9530pF @ 15V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs

188nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET Feature

-
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)

4.5V, 10V
Drain na zdroj napětí (Vdss)

30V
Detailní popis

N-Channel 30V 82A (Ta), 100A (Tc) 6.25W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C

82A (Ta), 100A (Tc)

Související zprávy
Lodní doprava
Platba

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

Lodní doprava

Způsob platby

Následuje produkty související s „SIDR392DP-T1-GE3“.

SIDR626DP-T1-GE3

SIDR626DP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CHAN 60V

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SIDC59D170HX1SA2

SIDC59D170HX1SA2

Popis: DIODE GEN PURP 1.7KV 100A WAFER

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)

Na skladě

SIDC78D170HX1SA1

SIDC78D170HX1SA1

Popis: DIODE GEN PURP 1.7KV 150A WAFER

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)

Na skladě

SIDR638DP-T1-GE3

SIDR638DP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 40V 100A SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SIDR680DP-T1-GE3

SIDR680DP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 80V

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SIDC81D120F6X1SA1

SIDC81D120F6X1SA1

Popis: DIODE GEN PURP 1.2KV 100A WAFER

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)

Na skladě

SIDC56D60E6X1SA1

SIDC56D60E6X1SA1

Popis: DIODE GEN PURP 600V 150A WAFER

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)

Na skladě

SIDR402DP-T1-GE3

SIDR402DP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CHAN 40V PPSO-8DC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SIDR870ADP-T1-GE3

SIDR870ADP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 100V 95A SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SIDC81D60E6X1SA3

SIDC81D60E6X1SA3

Popis: DIODE GEN PURP 600V 200A WAFER

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)

Na skladě

SIDV5545-20

SIDV5545-20

Popis: DISPLAY PROGRAMMABLE

Výrobci: OSRAM Opto Semiconductors, Inc.

Na skladě

SIDR140DP-T1-GE3

SIDR140DP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CHAN 25V PPAK SO-8DC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SIDR668DP-T1-GE3

SIDR668DP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 100V

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SIDC85D170HX1SA2

SIDC85D170HX1SA2

Popis: DIODE GEN PURP 1.7KV 150A WAFER

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)

Na skladě

SIDEGIG-GUITAREVM

SIDEGIG-GUITAREVM

Popis: EVALUATION MODULE

Výrobci: Luminary Micro / Texas Instruments

Na skladě

SIDR610DP-T1-GE3

SIDR610DP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CHAN 200V PPAK SO-8DC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SIDC81D120H6X1SA2

SIDC81D120H6X1SA2

Popis: DIODE GEN PURP 1.2KV 150A WAFER

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)

Na skladě

SIDC73D170E6X1SA2

SIDC73D170E6X1SA2

Popis: DIODE GEN PURP 1.7KV 100A WAFER

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)

Na skladě

SIDC81D120E6X1SA4

SIDC81D120E6X1SA4

Popis: DIODE GEN PURP 1.2KV 100A WAFER

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)

Na skladě

SIDR622DP-T1-GE3

SIDR622DP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CHAN 150V

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.

Následuj nás

Všeobecné obchodní podmínky Politika porušení Požádat o nabídku O nás Kontaktujte nás Mapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.