Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FET, MOSFETy - Pole > SIB900EDK-T1-GE3
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
4127202SIB900EDK-T1-GE3 Image.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIB900EDK-T1-GE3

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
3000+
$0.223
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    SIB900EDK-T1-GE3
  • Výrobce / značka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    SIB900EDK-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    1V @ 250µA
  • Dodavatel zařízení Package
    PowerPAK® SC-75-6L Dual
  • Série
    TrenchFET®
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    225 mOhm @ 1.6A, 4.5V
  • Power - Max
    3.1W
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    PowerPAK® SC-75-6L Dual
  • Ostatní jména
    SIB900EDK-T1-GE3TR
    SIB900EDKT1GE3
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    -
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    1.7nC @ 4.5V
  • Typ FET
    2 N-Channel (Dual)
  • FET Feature
    Logic Level Gate
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    20V
  • Detailní popis
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 1.5A 3.1W Surface Mount PowerPAK® SC-75-6L Dual
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    1.5A
  • Číslo základní části
    SIB900

AMD zahajuje výstavbu druhé fáze Design Center Bangalore

2024/11/26

Grafická karta NVIDIA RTX 5090 má oblast GPU 744 mm ², c...

2024/11/25

Antropic obdrží od Amazonu další investici 4 miliardy d...

2024/11/23

Semi: IC zvýšení prodeje o 12% ve čtvrtletí, oček...

2024/11/22

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „SIB900EDK-T1-GE3“.
SIB912DK-T1-GE3

SIB912DK-T1-GE3

Popis: MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIBF-05-F-S-AD

SIBF-05-F-S-AD

Popis: .050 SIBF ASSEMBLY

Výrobci: Samtec, Inc.
Na skladě
RFQ
SIB452DK-T1-GE3

SIB452DK-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 190V 1.5A SC75-6

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIB800EDK-T1-GE3

SIB800EDK-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 20V 1.5A SC75-6

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIBF-25-F-S-AD

SIBF-25-F-S-AD

Popis: .050 SIBF ASSEMBLY

Výrobci: Samtec, Inc.
Na skladě
RFQ
SIB419DK-T1-GE3

SIB419DK-T1-GE3

Popis: MOSFET P-CH 12V 9A SC75-6

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIB455EDK-T1-GE3

SIB455EDK-T1-GE3

Popis: MOSFET P-CH 12V 9A SC-75-6

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIB911DK-T1-E3

SIB911DK-T1-E3

Popis: MOSFET 2P-CH 20V 2.6A SC75-6

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIB456DK-T1-GE3

SIB456DK-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 100V 6.3A SC75-6L

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIB441EDK-T1-GE3

SIB441EDK-T1-GE3

Popis: MOSFET P-CH 12V 9A PPAK SC75-6L

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIB437EDKT-T1-GE3

SIB437EDKT-T1-GE3

Popis: MOSFET P-CH 8V 9A SC-75-6

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIB417EDK-T1-GE3

SIB417EDK-T1-GE3

Popis: MOSFET P-CH 8V 9A SC75-6

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIB488DK-T1-GE3

SIB488DK-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 12V 9A SC75-6

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIB422EDK-T1-GE3

SIB422EDK-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 20V 9A SC-75-6

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIBF-20-F-S-AD

SIBF-20-F-S-AD

Popis: .050 SIBF ASSEMBLY

Výrobci: Samtec, Inc.
Na skladě
RFQ
SIB911DK-T1-GE3

SIB911DK-T1-GE3

Popis: MOSFET 2P-CH 20V 2.6A SC75-6

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIB433EDK-T1-GE3

SIB433EDK-T1-GE3

Popis: MOSFET P-CH 20V 9A SC-75-6

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIB457EDK-T1-GE3

SIB457EDK-T1-GE3

Popis: MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6L

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIB914DK-T1-GE3

SIB914DK-T1-GE3

Popis: MOSFET 2N-CH 8V 1.5A PPAK SC75-6

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SIBF-10-F-S-AD

SIBF-10-F-S-AD

Popis: .050 SIBF ASSEMBLY

Výrobci: Samtec, Inc.
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.