Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > SI7619DN-T1-GE3
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
5054327SI7619DN-T1-GE3 Image.Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7619DN-T1-GE3

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
3000+
$0.35
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    SI7619DN-T1-GE3
  • Výrobce / značka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET P-CH 30V 24A 1212-8 PPAK
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    SI7619DN-T1-GE3.pdf
  • ECAD model
  • Vgs (th) (max) 'Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    PowerPAK® 1212-8
  • Série
    TrenchFET®
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    21 mOhm @ 10.5A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    3.5W (Ta), 27.8W (Tc)
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    PowerPAK® 1212-8
  • Ostatní jména
    SI7619DN-T1-GE3TR
    SI7619DNT1GE3
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    27 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    1350pF @ 15V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    50nC @ 10V
  • Typ FET
    P-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    4.5V, 10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    30V
  • Detailní popis
    P-Channel 30V 24A (Tc) 3.5W (Ta), 27.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    24A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip oznamuje 500 propouštění, s restrukturalizačn...

2024/12/4

Quanta: Poptávka AI je i nadále silná, se stálým proud...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung výrazně snižuje využití fotorezistů ve 3D vý...

2024/12/2

Vishay investuje 51 milionů GBP do získané NWF Wafer Fab

2024/11/29

Trumpova tarifní hrozba, Nvidia, dodavatelé Intel Reasses...

2024/11/28

Intel obdrží 7,86 miliardy dolarů na dotace podle americ...

2024/11/27
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „SI7619DN-T1-GE3“.
SI7540DP-T1-E3

SI7540DP-T1-E3

Popis: MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI7636DP-T1-E3

SI7636DP-T1-E3

Popis: MOSFET N-CH 30V 17A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI7601DN-T1-E3

SI7601DN-T1-E3

Popis: MOSFET P-CH 20V 16A 1212-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI7620DN-T1-GE3

SI7620DN-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 150V 13A 1212-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI7634BDP-T1-E3

SI7634BDP-T1-E3

Popis: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI7615CDN-T1-GE3

SI7615CDN-T1-GE3

Popis: MOSFET P-CH 20V 35A POWERPAK1212

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI7621DN-T1-GE3

SI7621DN-T1-GE3

Popis: MOSFET P-CH 20V 4A 1212-8 PPAK

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI7613DN-T1-GE3

SI7613DN-T1-GE3

Popis: MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8 PPAK

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI7540DP-T1-GE3

SI7540DP-T1-GE3

Popis: MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI7615ADN-T1-GE3

SI7615ADN-T1-GE3

Popis: MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8S

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI7629DN-T1-GE3

SI7629DN-T1-GE3

Popis: MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8 PPAK

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI7601DN-T1-GE3

SI7601DN-T1-GE3

Popis: MOSFET P-CH 20V 16A 1212-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI7623DN-T1-GE3

SI7623DN-T1-GE3

Popis: MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI7635DP-T1-GE3

SI7635DP-T1-GE3

Popis: MOSFET P-CH 20V 40A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI7634BDP-T1-GE3

SI7634BDP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI7615DN-T1-GE3

SI7615DN-T1-GE3

Popis: MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI7625DN-T1-GE3

SI7625DN-T1-GE3

Popis: MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8 PPAK

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI7633DP-T1-GE3

SI7633DP-T1-GE3

Popis: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK 8SO

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI7611DN-T1-GE3

SI7611DN-T1-GE3

Popis: MOSFET P-CH 40V 18A 1212-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI7617DN-T1-GE3

SI7617DN-T1-GE3

Popis: MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8 PPAK

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násZprávyMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.