Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

*Jméno společnosti
*Jméno
*Titul

*Emailová adresa
*Telefonní číslo

*Země
*Kontaktní okno
*Datum události

*Zpráva

Pro návštěvníky na Electronica 2024

Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.

domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FET, MOSFETy - Pole > SI5517DU-T1-GE3

RFQs/Objednávka (0)

Čeština

Čeština

2433676

SI5517DU-T1-GE3 Image.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SI5517DU-T1-GE3

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě

1+

$1.41

10+

$1.248

100+

$0.987

500+

$0.765

1000+

$0.604

Online poptávka

Specifikace

Part Number

SI5517DU-T1-GE3
Výrobce / značka

Electro-Films (EFI) / Vishay
Množství zásob

Na skladě
Popis

MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET
Stav volného vedení / RoHS

Bez olova / V souladu RoHS
Datasheety

SI5517DU-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (max) 'Id

1V @ 250µA
Dodavatel zařízení Package

PowerPAK® ChipFet Dual
Série

TrenchFET®
RDS On (Max) @ Id, Vgs

39 mOhm @ 4.4A, 4.5V
Power - Max

8.3W
Obal

Cut Tape (CT)
Paket / krabice

PowerPAK® ChipFET™ Dual
Ostatní jména

SI5517DU-T1-GE3CT
Provozní teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže

Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)

1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby

33 Weeks
Stav volného vedení / RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

520pF @ 10V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 8V
Typ FET

N and P-Channel
FET Feature

Logic Level Gate
Drain na zdroj napětí (Vdss)

20V
Detailní popis

Mosfet Array N and P-Channel 20V 6A 8.3W Surface Mount PowerPAK® ChipFet Dual
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C

6A
Číslo základní části

SI5517

Související zprávy
Lodní doprava
Platba

Antropic obdrží od Amazonu další investici 4 miliardy d...

Semi: IC zvýšení prodeje o 12% ve čtvrtletí, oček...

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

Lodní doprava

Způsob platby

Následuje produkty související s „SI5517DU-T1-GE3“.

SI570-PROG-EVB

Popis: KIT DEV SI570 I2C PROGR OSC

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na skladě

SI5513CDC-T1-GE3

SI5513CDC-T1-GE3

Popis: MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SI5513CDC-T1-E3

SI5513CDC-T1-E3

Popis: MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SI5853CDC-T1-E3

SI5853CDC-T1-E3

Popis: MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SI5855DC-T1-E3

Popis: MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SI5513DC-T1-E3

Popis: MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SI5515DC-T1-GE3

SI5515DC-T1-GE3

Popis: MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SI5857DU-T1-GE3

SI5857DU-T1-GE3

Popis: MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SI5855CDC-T1-E3

SI5855CDC-T1-E3

Popis: MOSFET P-CH 20V 3.7A 1206-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SI5517DU-T1-E3

Popis: MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SI5513DC-T1-GE3

SI5513DC-T1-GE3

Popis: MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SI5515CDC-T1-E3

SI5515CDC-T1-E3

Popis: MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SI5857DU-T1-E3

Popis: MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SI5519DU-T1-GE3

SI5519DU-T1-GE3

Popis: MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SI5856DC-T1-E3

Popis: MOSFET N-CH 20V 4.4A 1206-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SI5853DC-T1-E3

Popis: MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SI5515CDC-T1-GE3

SI5515CDC-T1-GE3

Popis: MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SI5853DDC-T1-E3

SI5853DDC-T1-E3

Popis: MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SI5511DC-T1-GE3

SI5511DC-T1-GE3

Popis: MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SI5515DC-T1-E3

Popis: MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.

Následuj nás

Všeobecné obchodní podmínky Politika porušení Požádat o nabídku O nás Kontaktujte nás Mapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.