Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > SI5458DU-T1-GE3
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
1441597SI5458DU-T1-GE3 Image.Electro-Films (EFI) / Vishay

SI5458DU-T1-GE3

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
3000+
$0.275
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    SI5458DU-T1-GE3
  • Výrobce / značka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 30V 6A PPAK CHIPFET
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    SI5458DU-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    8-PowerPak® ChipFet (3x1.9)
  • Série
    TrenchFET®
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    41 mOhm @ 7.1A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    3.5W (Ta), 10.4W (Tc)
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    8-PowerVDFN
  • Ostatní jména
    SI5458DU-T1-GE3TR
    SI5458DUT1GE3
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    27 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    325pF @ 15V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    9nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    4.5V, 10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    30V
  • Detailní popis
    N-Channel 30V 6A (Tc) 3.5W (Ta), 10.4W (Tc) Surface Mount 8-PowerPak® ChipFet (3x1.9)
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    6A (Tc)

AMD zahajuje výstavbu druhé fáze Design Center Bangalore

2024/11/26

Grafická karta NVIDIA RTX 5090 má oblast GPU 744 mm ², c...

2024/11/25

Antropic obdrží od Amazonu další investici 4 miliardy d...

2024/11/23

Semi: IC zvýšení prodeje o 12% ve čtvrtletí, oček...

2024/11/22

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „SI5458DU-T1-GE3“.
SI5461EDC-T1-E3

SI5461EDC-T1-E3

Popis: MOSFET P-CH 20V 4.5A CHIPFET

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI5473DC-T1-E3

SI5473DC-T1-E3

Popis: MOSFET P-CH 12V 5.9A 1206-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI5471DC-T1-GE3

SI5471DC-T1-GE3

Popis: MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI5463EDC-T1-E3

SI5463EDC-T1-E3

Popis: MOSFET P-CH 20V 3.8A 1206-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI5456DU-T1-GE3

SI5456DU-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI5446DU-T1-GE3

SI5446DU-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 30V 25A CHIPFET

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI5459DU-T1-GE3

SI5459DU-T1-GE3

Popis: MOSFET P-CH 20V 8A CHIPFET

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI5449DC-T1-GE3

SI5449DC-T1-GE3

Popis: MOSFET P-CH 30V 3.1A 1206-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI5445BDC-T1-E3

SI5445BDC-T1-E3

Popis: MOSFET P-CH 8V 5.2A 1206-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI5447DC-T1-GE3

SI5447DC-T1-GE3

Popis: MOSFET P-CH 20V 3.5A 1206-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI5449DC-T1-E3

SI5449DC-T1-E3

Popis: MOSFET P-CH 30V 3.1A 1206-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI5463EDC-T1-GE3

SI5463EDC-T1-GE3

Popis: MOSFET P-CH 20V 3.8A 1206-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI5448DU-T1-GE3

SI5448DU-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 40V 25A CHIPFET

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI5457DC-T1-GE3

SI5457DC-T1-GE3

Popis: MOSFET P-CH 20V 6A CHIPFET

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI5473DC-T1-GE3

SI5473DC-T1-GE3

Popis: MOSFET P-CH 12V 5.9A 1206-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI5468DC-T1-GE3

SI5468DC-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI5475BDC-T1-E3

SI5475BDC-T1-E3

Popis: MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI5461EDC-T1-GE3

SI5461EDC-T1-GE3

Popis: MOSFET P-CH 20V 4.5A CHIPFET

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI5445BDC-T1-GE3

SI5445BDC-T1-GE3

Popis: MOSFET P-CH 8V 5.2A 1206-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI5447DC-T1-E3

SI5447DC-T1-E3

Popis: MOSFET P-CH 20V 3.5A 1206-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.