Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FET, MOSFETy - Pole > SI4900DY-T1-GE3
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
4265942

SI4900DY-T1-GE3

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
2500+
$0.58
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    SI4900DY-T1-GE3
  • Výrobce / značka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    SI4900DY-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    3V @ 250µA
  • Dodavatel zařízení Package
    8-SO
  • Série
    TrenchFET®
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    58 mOhm @ 4.3A, 10V
  • Power - Max
    3.1W
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Ostatní jména
    SI4900DY-T1-GE3-ND
    SI4900DY-T1-GE3TR
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    33 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    665pF @ 15V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    20nC @ 10V
  • Typ FET
    2 N-Channel (Dual)
  • FET Feature
    Logic Level Gate
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    60V
  • Detailní popis
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5.3A 3.1W Surface Mount 8-SO
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    5.3A
  • Číslo základní části
    SI4900

Antropic obdrží od Amazonu další investici 4 miliardy d...

2024/11/23

Semi: IC zvýšení prodeje o 12% ve čtvrtletí, oček...

2024/11/22

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „SI4900DY-T1-GE3“.
SI4896DY-T1-GE3

SI4896DY-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SOIC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI4890DY-T1-GE3

SI4890DY-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI4896DY-T1-E3

SI4896DY-T1-E3

Popis: MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-SOIC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI4909DY-T1-GE3

SI4909DY-T1-GE3

Popis: MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SO

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI4906DY-T1-E3

SI4906DY-T1-E3

Popis: MOSFET 2N-CH 40V 6.6A 8-SOIC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI4892DY-T1-GE3

SI4892DY-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 30V 8.8A 8-SOIC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI4890DY-T1-E3

SI4890DY-T1-E3

Popis: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI4900DY-T1-E3

SI4900DY-T1-E3

Popis: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI4910DY-T1-GE3

SI4910DY-T1-GE3

Popis: MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8-SOIC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI4910DY-T1-E3

SI4910DY-T1-E3

Popis: MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8-SOIC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI4890BDY-T1-GE3

SI4890BDY-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI4908DY-T1-GE3

SI4908DY-T1-GE3

Popis: MOSFET 2N-CH 40V 5A 8-SOIC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI4904DY-T1-GE3

SI4904DY-T1-GE3

Popis: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8-SOIC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI4906DY-T1-GE3

SI4906DY-T1-GE3

Popis: MOSFET 2N-CH 40V 6.6A 8-SOIC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI4894BDY-T1-E3

SI4894BDY-T1-E3

Popis: MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI4892DY-T1-E3

SI4892DY-T1-E3

Popis: MOSFET N-CH 30V 8.8A 8-SOIC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI4913DY-T1-E3

SI4913DY-T1-E3

Popis: MOSFET 2P-CH 20V 7.1A 8-SOIC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI4904DY-T1-E3

SI4904DY-T1-E3

Popis: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8-SOIC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI4908DY-T1-E3

SI4908DY-T1-E3

Popis: MOSFET 2N-CH 40V 5A 8-SOIC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI4894BDY-T1-GE3

SI4894BDY-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.