Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > SI4888DY-T1-GE3
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
1781917

SI4888DY-T1-GE3

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    SI4888DY-T1-GE3
  • Výrobce / značka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    SI4888DY-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    1.6V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    8-SO
  • Série
    TrenchFET®
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    7 mOhm @ 16A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    1.6W (Ta)
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    24nC @ 5V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    4.5V, 10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    30V
  • Detailní popis
    N-Channel 30V 11A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    11A (Ta)

AMD zahajuje výstavbu druhé fáze Design Center Bangalore

2024/11/26

Grafická karta NVIDIA RTX 5090 má oblast GPU 744 mm ², c...

2024/11/25

Antropic obdrží od Amazonu další investici 4 miliardy d...

2024/11/23

Semi: IC zvýšení prodeje o 12% ve čtvrtletí, oček...

2024/11/22

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „SI4888DY-T1-GE3“.
SI4892DY-T1-GE3

SI4892DY-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 30V 8.8A 8-SOIC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI4894BDY-T1-E3

SI4894BDY-T1-E3

Popis: MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI4896DY-T1-E3

SI4896DY-T1-E3

Popis: MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-SOIC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI4890BDY-T1-GE3

SI4890BDY-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI4884BDY-T1-GE3

SI4884BDY-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 30V 16.5A 8-SOIC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI4890DY-T1-E3

SI4890DY-T1-E3

Popis: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI4894BDY-T1-GE3

SI4894BDY-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI4896DY-T1-GE3

SI4896DY-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SOIC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI4884BDY-T1-E3

SI4884BDY-T1-E3

Popis: MOSFET N-CH 30V 16.5A 8-SOIC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI4880DY-T1-GE3

SI4880DY-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI4888DY-T1-E3

SI4888DY-T1-E3

Popis: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI4876DY-T1-E3

SI4876DY-T1-E3

Popis: MOSFET N-CH 20V 14A 8-SOIC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI4874BDY-T1-GE3

SI4874BDY-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI4890BDY-T1-E3

SI4890BDY-T1-E3

Popis: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI4886DY-T1-E3

SI4886DY-T1-E3

Popis: MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI4880DY-T1-E3

SI4880DY-T1-E3

Popis: MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI4892DY-T1-E3

SI4892DY-T1-E3

Popis: MOSFET N-CH 30V 8.8A 8-SOIC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI4890DY-T1-GE3

SI4890DY-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI4876DY-T1-GE3

SI4876DY-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 20V 14A 8-SOIC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI4886DY-T1-GE3

SI4886DY-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.