Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FET, MOSFETy - Pole > SI4286DY-T1-GE3
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
2993931

SI4286DY-T1-GE3

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
2500+
$0.499
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    SI4286DY-T1-GE3
  • Výrobce / značka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SO
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    SI4286DY-T1-GE3.pdf
  • ECAD model
  • Vgs (th) (max) 'Id
    2.5V @ 250µA
  • Dodavatel zařízení Package
    8-SO
  • Série
    TrenchFET®
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    32.5 mOhm @ 8A, 10V
  • Power - Max
    2.9W
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Ostatní jména
    SI4286DY-T1-GE3TR
    SI4286DYT1GE3
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    375pF @ 20V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    10.5nC @ 10V
  • Typ FET
    2 N-Channel (Dual)
  • FET Feature
    Standard
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    40V
  • Detailní popis
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 7A 2.9W Surface Mount 8-SO
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    7A
  • Číslo základní části
    SI4286

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip oznamuje 500 propouštění, s restrukturalizačn...

2024/12/4

Quanta: Poptávka AI je i nadále silná, se stálým proud...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung výrazně snižuje využití fotorezistů ve 3D vý...

2024/12/2

Vishay investuje 51 milionů GBP do získané NWF Wafer Fab

2024/11/29

Trumpova tarifní hrozba, Nvidia, dodavatelé Intel Reasses...

2024/11/28

Intel obdrží 7,86 miliardy dolarů na dotace podle americ...

2024/11/27
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „SI4286DY-T1-GE3“.
SI4226DY-T1-GE3

SI4226DY-T1-GE3

Popis: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI4311-B21-GM

SI4311-B21-GM

Popis: IC RECEIVER FSK 315/434MHZ 20QFN

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na skladě
RFQ
SI4311-B12-GMR

SI4311-B12-GMR

Popis: IC RECEIVER RF 315/434MHZ 20QFN

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na skladě
RFQ
SI4226DY-T1-E3

SI4226DY-T1-E3

Popis: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI4276DY-T1-E3

SI4276DY-T1-E3

Popis: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI4311-B10-GM

SI4311-B10-GM

Popis: IC RX FSK 315/434MHZ 20VQFN

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na skladě
RFQ
SI4228DY-T1-E3

SI4228DY-T1-E3

Popis: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SO

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI4300-EVB

SI4300-EVB

Popis: BOARD EVAL FOR SI4300

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na skladě
RFQ
SI4276DY-T1-GE3

SI4276DY-T1-GE3

Popis: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI4214DDY-T1-E3

SI4214DDY-T1-E3

Popis: MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8SO

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI4300-E-BM

SI4300-E-BM

Popis: IC RF AMP 900MHZ 1.8GHZ 20LGA

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na skladě
RFQ
SI4228DY-T1-GE3

SI4228DY-T1-GE3

Popis: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI4214DY-T1-GE3

SI4214DY-T1-GE3

Popis: MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI4230DY-T1-GE3

SI4230DY-T1-GE3

Popis: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI4310BDY-T1-E3

SI4310BDY-T1-E3

Popis: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 14SOIC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI4288DY-T1-GE3

SI4288DY-T1-GE3

Popis: MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SO

Výrobci: Vishay Siliconix
Na skladě
RFQ
SI4300T-B-BM

SI4300T-B-BM

Popis: IC RF AMP 900MHZ 1.8GHZ 20LGA

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na skladě
RFQ
SI4214DDY-T1-GE3

SI4214DDY-T1-GE3

Popis: MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI4311-B21-GMR

SI4311-B21-GMR

Popis: IC RECEIVER FSK 315/434MHZ 20QFN

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na skladě
RFQ
SI4311-B12-GM

SI4311-B12-GM

Popis: IC RECEIVER RF 315/434MHZ 20QFN

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násZprávyMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.