Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > SI4186DY-T1-GE3
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
4520192

SI4186DY-T1-GE3

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
2500+
$0.564
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    SI4186DY-T1-GE3
  • Výrobce / značka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 20V 35.8A 8SOIC
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    SI4186DY-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    2.4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    8-SO
  • Série
    TrenchFET®
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    2.6 mOhm @ 15A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    3W (Ta), 6W (Tc)
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Ostatní jména
    SI4186DY-T1-GE3-ND
    SI4186DY-T1-GE3TR
    SI4186DYT1GE3
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    27 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    3630pF @ 10V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    90nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    4.5V, 10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    20V
  • Detailní popis
    N-Channel 20V 35.8A (Tc) 3W (Ta), 6W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    35.8A (Tc)

Antropic obdrží od Amazonu další investici 4 miliardy d...

2024/11/23

Semi: IC zvýšení prodeje o 12% ve čtvrtletí, oček...

2024/11/22

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „SI4186DY-T1-GE3“.
SI4200-BM

SI4200-BM

Popis: IC RF TXRX CELLULAR 32-VFQFN

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na skladě
RFQ
SI4174DY-T1-GE3

SI4174DY-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI4196DY-T1-GE3

SI4196DY-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 20V 8A 8SOIC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI4200-GM

SI4200-GM

Popis: IC RF TXRX CELLULAR 32-VFQFN

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na skladě
RFQ
SI4196DY-T1-E3

SI4196DY-T1-E3

Popis: MOSFET N-CH 20V 8A 8SOIC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI4200DY-T1-GE3

SI4200DY-T1-GE3

Popis: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI4178DY-T1-E3

SI4178DY-T1-E3

Popis: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI4164DY-T1-GE3

SI4164DY-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI4201-BM

SI4201-BM

Popis: IC RF TXRX CELLULAR 20-VFQFN

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na skladě
RFQ
SI4166DY-T1-GE3

SI4166DY-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 30V 30.5A 8-SOIC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI4190DY-T1-GE3

SI4190DY-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 100V 20A 8-SOIC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI4170DY-T1-GE3

SI4170DY-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI4190ADY-T1-GE3

SI4190ADY-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI4201-GM

SI4201-GM

Popis: IC RF TXRX CELLULAR 20-VFQFN

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na skladě
RFQ
SI4200-EVB

SI4200-EVB

Popis: BOARD EVAL FOR SI4200

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na skladě
RFQ
SI4172DY-T1-GE3

SI4172DY-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI4178DY-T1-GE3

SI4178DY-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI4168DY-T1-GE3

SI4168DY-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 30V 24A 8-SOIC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI4176DY-T1-E3

SI4176DY-T1-E3

Popis: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI4176DY-T1-GE3

SI4176DY-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.